今天對反激電路的MOS管驅動電阻進行了小小的試驗，跟大家做下分享。

電路示意如下：

其中R1,R2是驅動電阻，當PWM為高的時候，通過R1,R2給柵極充電；當PWM為低時，柵極通過二極管和R1放電。

現象：當R1=100Ω，R2=47Ω時，MOS管溫度為132℃，VDSmax=560V；當R1=10Ω，R2=10Ω時，MOS管溫度為81.7℃，VDSmax=600V。

結論是：減小MOS管的驅動電阻可以顯著降低MOS管溫升（實驗中降低了約50℃！），但是會使MOS管漏源極電壓增大一些。所以MOS管驅動電阻的選擇應該是效率（熱應力）與VDS（電壓應力）折衷的結果。

下面是實際的波形，供參考。

（1）R1=100Ω，R2=47Ω

（2）、R1=10Ω，R2=10Ω

PS：注意兩個波形MOS管關斷時下降時間的顯著變化（測試的時候沒設置好，豎向光標顯示為頻率了，不過仍然可以看出來變化）

最后，歡迎大家一起來討論~