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求教反激電源損壞的原因

求教高手們幫分析一下?lián)p壞的原因:

設(shè)備是SVG和變頻器上的單元,內(nèi)部電源是反激電源,輸入電壓是200----1400V  正常工作電壓在700--1000V  皆是直流

單元板已量產(chǎn),平均損壞率在千分之五上下,但這千分之五的損壞現(xiàn)象驚人的一致:皆是開關(guān)管門極擊穿,3844的第6腳擊穿,主回路保險絲及限流電阻擊壞,門極驅(qū)動電阻壞。在廠內(nèi)做EMI試驗做4級(4000V)時電源有斷續(xù)的拍拍聲(其他廠家電源皆如此),但沒有停止工作,空間干擾試驗沒出現(xiàn)問題,進(jìn)行輸入電壓突變試驗,輸入電壓從600V在1uS內(nèi)上升到1000V試驗連續(xù)進(jìn)行1000次沒有發(fā)現(xiàn)問題,電壓也較為平穩(wěn)。目前不知道方向了問題該如何處理,希望有此類經(jīng)驗的高手來共同討論。此貼我很每天關(guān)注,有問題我會第一時間回答。

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zvszcs
LV.12
2
2014-01-23 09:14
電源沒有做好
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sinican
LV.8
3
2014-01-23 11:11

多是 3844 的 Vcc 異常升高了,導(dǎo)致 MOS 的 gate 驅(qū)動電壓升高,然后擊穿并自導(dǎo)通,引起一系列的反應(yīng)

MOS 的 gate 級加一個穩(wěn)壓管到地就OK了

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北方人
LV.4
4
2014-01-23 12:43
@sinican
多是3844的Vcc異常升高了,導(dǎo)致MOS的gate驅(qū)動電壓升高,然后擊穿并自導(dǎo)通,引起一系列的反應(yīng)MOS的gate級加一個穩(wěn)壓管到地就OK了
最開始也是這樣認(rèn)為,但多次用示波器查看3844供電側(cè),電壓為15V,在突變電壓下也沒有波動,g端是有TVS進(jìn)行鉗位的,采用的P6KE18CA。開關(guān)管散熱片溫升也不高27度,變壓器溫升在20度內(nèi)。
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北方人
LV.4
5
2014-01-23 12:46
@北方人
最開始也是這樣認(rèn)為,但多次用示波器查看3844供電側(cè),電壓為15V,在突變電壓下也沒有波動,g端是有TVS進(jìn)行鉗位的,采用的P6KE18CA。開關(guān)管散熱片溫升也不高27度,變壓器溫升在20度內(nèi)。
奇怪的是有一套機(jī)上的單元板在廠內(nèi)不間斷運(yùn)行達(dá)1月之久,板子運(yùn)到現(xiàn)場后五天壞了二塊板,毛病相同,現(xiàn)懷疑是有較強(qiáng)的空間輻射所至。是用在35KV直掛機(jī),整機(jī)容量10MW
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北方人
LV.4
6
2014-01-23 13:06
@北方人
奇怪的是有一套機(jī)上的單元板在廠內(nèi)不間斷運(yùn)行達(dá)1月之久,板子運(yùn)到現(xiàn)場后五天壞了二塊板,毛病相同,現(xiàn)懷疑是有較強(qiáng)的空間輻射所至。是用在35KV直掛機(jī),整機(jī)容量10MW
今天再做EMC試驗發(fā)現(xiàn)將電源板放在EMC注入口,當(dāng)EMC注入干擾(原先在輸入線上注入,現(xiàn)在將注入的盒子打開將電路板放在上面)達(dá)到4000V時,其射干擾在電源的各個回路中產(chǎn)生快到100V的干擾波頻率10M以上,驅(qū)動波形有較大的變化,可惜當(dāng)時存的波形為isf文件,不知道如何打開。
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sinican
LV.8
7
2014-01-23 14:52
@北方人
最開始也是這樣認(rèn)為,但多次用示波器查看3844供電側(cè),電壓為15V,在突變電壓下也沒有波動,g端是有TVS進(jìn)行鉗位的,采用的P6KE18CA。開關(guān)管散熱片溫升也不高27度,變壓器溫升在20度內(nèi)。

P6KE18CA  是 18V 的 TVS , TVS 沒有失效?

你可以選試驗一下,用 18V 脈沖波去驅(qū)動 MOS,看一下是不是會損壞 MOS,

另 TVS 是接在 MOS 的 GS 端,還是接在6腳輸出? 兩者的特點是不同的

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北方人
LV.4
8
2014-01-25 13:30
@sinican
P6KE18CA 是18V的TVS,TVS沒有失效?你可以選試驗一下,用18V脈沖波去驅(qū)動MOS,看一下是不是會損壞MOS,另TVS是接在MOS的GS端,還是接在6腳輸出?兩者的特點是不同的

沒有失效,是直接接在管子的GE處,管子用的是高壓IGBT(12N300)。18V驅(qū)動沒有問題,在廠內(nèi)已做過各種試驗,從來沒壞過。廠內(nèi)產(chǎn)量是每月4-6000塊,高溫老化24小時。廠內(nèi)損壞率一年中不超過20塊。

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北方人
LV.4
9
2014-01-25 13:32
@北方人
沒有失效,是直接接在管子的GE處,管子用的是高壓IGBT(12N300)。18V驅(qū)動沒有問題,在廠內(nèi)已做過各種試驗,從來沒壞過。廠內(nèi)產(chǎn)量是每月4-6000塊,高溫老化24小時。廠內(nèi)損壞率一年中不超過20塊。

現(xiàn)在分析可能是用的IGBT資料上寫的是最好要負(fù)壓關(guān)斷,現(xiàn)在正在做驅(qū)動負(fù)壓電路。但與業(yè)內(nèi)一些同行聊到此事,有說在小功率驅(qū)動時不要負(fù)壓也可以,也有說需要負(fù)壓關(guān)斷更加穩(wěn)定(IGBT在電流波動時如拖尾過長易產(chǎn)生擎住效應(yīng))。節(jié)后準(zhǔn)備去次現(xiàn)場,看看現(xiàn)場電磁環(huán)境如何。

今天據(jù)現(xiàn)場反回來的消息說,每次壞之前必報過壓,輸入電壓瞬態(tài)沖高200V上下,有一個單元報過3次,最后一次掛了,現(xiàn)不知是真報還是AD受干擾。

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北方人
LV.4
10
2014-01-25 13:45
@zvszcs
電源沒有做好
問下司令在此種情況下該從哪方面下手!做高壓脈沖群(4級)試驗時如何減小電源所受的干擾。
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