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Nmos和Pmo在一起s能做開關電源?而且效率會更高?

 

我剛開始的時候用的是推挽類型的Nmos,但是效率不高,有一個師兄跟我說用Nmos和Pmos組成如下圖的電路可以減小發熱量,而且效率也會提升,說是當方波為0時,Pmos導通,方波為高電壓時Nmos導通,由于一直使用Nmos,但是這種接法我剛接觸過,而且mos管發熱量很小?希望高手們能不能幫我解答一下

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2013-12-26 09:01

P-MOS接反了,電路也不是這個樣的,不是全橋就得有個電容。。

現在的P-MOS電壓做不高,內阻做不低,價格下不來,暫時沒法普及應用。。。

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2013-12-26 09:02
上臂用PMOS無非是為了驅動方便,但是你這么簡單的辦法是不行的,因為沒法設置死區,用專用的自舉式高低邊驅動器驅動兩個NMOS很方便,并且自帶死區,比如IR2110,IR2106,FAN7382什么的
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2013-12-26 09:35
@qinzutaim
P-MOS接反了,電路也不是這個樣的,不是全橋就得有個電容。。現在的P-MOS電壓做不高,內阻做不低,價格下不來,暫時沒法普及應用。。。[圖片]

你好,qinzutain軍長,你想說的是不是半橋電路呢?

但是軍長見沒見過 Pmos和Nmos組合的電路呢?

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2013-12-26 09:46
@rj44444
上臂用PMOS無非是為了驅動方便,但是你這么簡單的辦法是不行的,因為沒法設置死區,用專用的自舉式高低邊驅動器驅動兩個NMOS很方便,并且自帶死區,比如IR2110,IR2106,FAN7382什么的
你好,rj44444旅長,經常拜讀你的作品帖子,在上副圖中,我師兄跟我說了一下,不知道他說的是否正確,當方波是0的時候Pmos導通,給電感充電。在普通的mos管中的發熱量是因為直流量通過mos對地組成回路才發熱,他的想法是Pmos導通,但是Nmos不導通,那么Pmos的發熱量就會很小,而且對變壓器充電,充電的過程就是電壓變化的過程。當是高電平時,Pmos截止,Nmos導通,至于這個方式放電。但是我總感覺有什么不對的地方,由于我理論知識的有限,找不出有力的理論依據。
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2013-12-26 10:27
@machao6734
你好,rj44444旅長,經常拜讀你的作品帖子[圖片],在上副圖中,我師兄跟我說了一下,不知道他說的是否正確,當方波是0的時候Pmos導通,給電感充電。在普通的mos管中的發熱量是因為直流量通過mos對地組成回路才發熱,他的想法是Pmos導通,但是Nmos不導通,那么Pmos的發熱量就會很小,而且對變壓器充電,充電的過程就是電壓變化的過程。當是高電平時,Pmos截止,Nmos導通,至于這個方式放電。但是我總感覺有什么不對的地方,由于我理論知識的有限,找不出有力的理論依據。

你說的驅動方法和我上面這幅圖應該是一個意思,存在的問題軍長已經指出了。這種驅動方式嚴格限制了電源電壓,因為電源電壓決定了柵源極間驅動電壓,對于一般的MOSFET,電源電壓大概在幾V到二三十V之間。另外這種方法沒用辦法設置死區,上下管的交疊損耗是很大的

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2013-12-26 11:22
@machao6734
你好,qinzutain軍長,你想說的是不是半橋電路呢?[圖片]但是軍長見沒見過 Pmos和Nmos組合的電路呢?
見識有點少,樓主能不能告訴我你的電路如何工作?PMOS的哪個極接電源正極?
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2013-12-26 18:13
@rj44444
[圖片]你說的驅動方法和我上面這幅圖應該是一個意思,存在的問題軍長已經指出了。這種驅動方式嚴格限制了電源電壓,因為電源電壓決定了柵源極間驅動電壓,對于一般的MOSFET,電源電壓大概在幾V到二三十V之間。另外這種方法沒用辦法設置死區,上下管的交疊損耗是很大的
這種驅動方式嚴格限制電源電壓我知道,就是Pmos管電壓做不高,但是設置死區,總得來說只有一路方波,不存在死區的問題,因為當方波是0的時候Pmos導通,方波是高電平的時候是Nmos導通。就像旅長上副電路圖中我覺得就是一路方波分別推Pmos和Nmos,旅長,你怎么看呢?
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2013-12-26 18:15
@qinzutaim
見識有點少,樓主能不能告訴我你的電路如何工作?PMOS的哪個極接電源正極?[圖片]
你好,軍長,電路圖就跟rj44444旅長所給的差不多,當方波是0的時候,Pmos導通,給電感充電,當方波是1的時候,Nmos給電感放電,大概就是這個原理,你看呢?
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2013-12-27 08:50
@machao6734
這種驅動方式嚴格限制電源電壓我知道,就是Pmos管電壓做不高,但是設置死區,總得來說只有一路方波,不存在死區的問題,因為當方波是0的時候Pmos導通,方波是高電平的時候是Nmos導通。就像旅長上副電路圖中我覺得就是一路方波分別推Pmos和Nmos,旅長,你怎么看呢?

死區問題是肯定存在的,開關不是瞬間完成的。電源電壓被限制不是受制于PMOS的耐壓,而是MOSFET的柵源擊穿電壓,不管是PMOS還是NMOS,柵源擊穿電壓一般不會超過30V

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