當做IGBT驅動時，一直使用的為厚膜驅動電路，比如EXB841，VLA517等，雖然可靠性很高，但是成本也不低，除了驅動電路本身，還有獨立的供電系統，比如全橋拓撲的IGBT驅動，需要四個厚膜電路，外加四個隔離的電源系統，這成本放到小功率的模塊上就很奢侈了，最近在看關于IR2113的自舉式的IGBT驅動，通過理論分析,把EXB841驅動IGBT的思想移植到IR2113的驅動上面，并設計一款功率1500w的高壓逆變電源系統。

   輸入電壓：220Vac（175Vac~275Vac）

   功      率：1500W

   輸入峰值電流：1500W/0.9/(175*1.414)*2=13.5A

   峰值電壓：275*1.414*1.5=583.275V

   選用IGBT IKW40N65H

   IR2113為懸浮自舉驅動芯片，電壓可以到600V(IR2110為500v)，通過電容與二極管搭配使用  

 內部的原理圖如下：

 IR2113自舉驅動原理：

通過VCC供電，VCC一般選取24V(IGBT驅動電壓15V,用于消除IGBT的米勒效應9v（負壓）)。開始工作時，VCC通過二極管，給電容充電。