1/4磚，850W？？  

有這么高的功率密度？

VICOR的850W電源，功率密度相當高，聽說是采用的新的正弦振幅拓撲。

這個電源用的是VICOR專利 正弦振幅變換器。采用了ZVS/ZCS軟開關(guān)技術(shù)，大大降低了MOS管的開關(guān)損耗，可以很大程度的提高開關(guān)頻率，使開關(guān)頻率等于初級電路的諧振頻率，這樣電流就能成正弦波變化。因為上MHZ的開關(guān)頻率使得變壓器的AE值更小，變壓器線圈匝數(shù)更少，變壓器體積更小。所以功率密度很高能做到850W，viocr下一代的電源明年就會上市，功率密度將會更高。 

采用VICOR專利的正弦振幅拓撲，效率可以做到98%所以損耗很小。沒錯，是開環(huán)的，工作頻率和占空比都是固定的。

1.Q1，Q4導通，電路中電流成正弦波上升，諧振電容放電。Q21，Q24導通，此時次級變壓器T1上感應(yīng)電流也成正弦波上升。因為電流是從零開始隨正弦增大的，所以在MOS管開通時幾乎無開關(guān)損耗。圖為變壓器T1次級上的電壓與輸出電流波形。

2.諧振電容被正向電壓充電，初級線圈電壓變低，當初級電路無法傳遞能量給次級，此時電路中電流很小，關(guān)斷Q1，Q4，Q21，Q24，因為是零電流關(guān)斷，所以MOS管關(guān)斷幾乎無開關(guān)損耗。因為電感電流不能突變，Q2，Q3，Q22，Q23的反向二極管導通，為Q2，Q3，Q22，Q23零電壓導通創(chuàng)造條件。

Q2，Q3的導通過程與Q1，Q4導通相同。整個周期的MOS管的開關(guān)損耗都很小，開關(guān)頻率等于初級電路的諧振頻率。下圖為完整的一個周期變壓器次級電壓與輸出電流波形。

電路原理沒啥，就是開環(huán)LLC。 關(guān)鍵是人家的制作工藝。

可以理解成開環(huán)的LLC。工藝要求確實高，特別是功率變壓器。

VICOR老板就是做技術(shù)的，進實驗室的。所以技術(shù)才能發(fā)展起來，

這個話題，空載與負載的電壓非常接近誤差小的前提是，匝電容要非常非常的小，因為，這個存在能量，所以，變壓器的工藝非常重要，繞組普通繞法絕對不行的，采用PCB間繞可以大大減小匝電容，我國工藝水平低，難度大，這里開環(huán)，全諧振技術(shù)了，與電子變壓器有一些接近，其實，還有一種是閉環(huán)的，就是可以調(diào)電壓限流的。

    這里輸出同步整流，其實開關(guān)管與輸出整流開關(guān)管可以完全同步，這樣的控制也方便的。

    當然，體積這么小，頻率非常高，開關(guān)管整流開關(guān)管高頻專用比較貴，磁芯變壓器也非常嚴格要求，普通磁芯絕對不行的，這個附加值就大了。東西越小越好，大了沒用，設(shè)備大的成本高，小了成本低，效率高體積就可以小巧了，否則，燒掉了。

高，學習，點贊，現(xiàn)在沒有時間細看；

有時間可以仿真一個。

廢話