這個(gè)應(yīng)該是MOS先壞（一般就是DS短路了），然后保險(xiǎn)絲與sense電阻才被燒毀。

所以，如果線路沒(méi)錯(cuò)，應(yīng)該好好查查MOS在這種條件下的實(shí)際DS電壓與電流了。電流最好對(duì)照MOS的SOA曲線看。

嚴(yán)重的時(shí)候，IC的4腳（電流檢測(cè)）直接燒化了，我又試了幾次，有一次保險(xiǎn)管沒(méi)斷，mosfet和電流檢測(cè)電阻擊穿，4腳燒化；有一次保險(xiǎn)管燒斷，mosfet和電流檢測(cè)電阻擊穿，IC完好。

會(huì)不會(huì)跟后級(jí)有問(wèn)題？還是前級(jí)沒(méi)調(diào)好？PFC輸出太高，還是別的什么原因？

IC的4腳燒掉，過(guò)程應(yīng)該是這樣的：MOS掛了，DS之間短路，大電流高電壓加在Rsense上，高電壓導(dǎo)致PIN_4損壞，大電流導(dǎo)致Rsense損壞，由于Rsense損壞是Open，而此時(shí)，保險(xiǎn)絲由于個(gè)體差異，這顆比較堅(jiān)強(qiáng)，所以在Rsense Open前沒(méi)有徹底燒斷，所以就沒(méi)事咯~~

建議你好好檢查一下原理圖選取的原件是否有問(wèn)題；

layout是否按照功率地與信號(hào)地分開(kāi)的原則；

炸機(jī)是否只發(fā)生在開(kāi)機(jī)瞬間，可不可以用軟啟動(dòng)來(lái)改善……

如圖所示，在R2兩端并一顆pF級(jí)電容；具體容值要根據(jù)實(shí)際情況所定，建議在10p~100p之間……

抱歉，星期六就找到原因了，忘了結(jié)貼了。

原因是乘法器輸入M級(jí)采樣電阻低了50K左右的樣子，采樣電壓過(guò)高，致使電感電流跟隨變化的峰值過(guò)高，造成過(guò)流，換了個(gè)電阻就好了。