方案昂寶的OB2269，工作頻率設在68KHZ。輸入90-220V。輸出12V 5A.變壓器PQ2620.高壓效率85，低壓82。變壓器參數初級32T 0.5*2 ,次級5TS 0.5*4,反饋6TS 0.3*3 低壓滿載老化 MOS管溫度110度，大電解110度（豐賓120uf、400v），變壓器絕緣紙溫度110度。如今溫度過不了，請各位高手幫忙分析分析。
這是MOS管的散熱片
這是肖特基的散熱片
PCB板的尺寸L :103*W :45
一個星期了12V5A適配器桌面式 GS認證溫度過不了？頭疼啊
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@xieweixiong1989
這個我遇到了，我們用SD4871做60W的，也是12V5A，溫升也一樣過不了，我們低壓效率82，高壓效率85，（1.5m長的線18#）。后來用導熱硅貼將熱引到外殼散熱，最后變壓器溫度是降了，但是光耦的又超了。殼內溫度有80度了
你這個變壓器設計的也是中規中矩的，反射電壓80V，0.45的占空比,對于OPEN的應該沒問題,但是這樣的適配器恐怕溫度夠戧,你的效率上不來.230V估計也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射電壓.看你的初級已經32Ts了,2620的BOBBIN估計0.5的線你連1匝也加不進去了,所以將次級去掉一圈,這個時候占空比會比較大,計算一下如果磁心沒有接近飽和
磁通,那么初級也可適當減少1、2圈。這樣整流管就可以選小點的耐壓如80V的，看你的電壓范圍是到220V，那么60V的蕭特基都可以考慮使用，效率肯定會提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V時0.84,220V時0.87左右,你的好象是固定頻率硬開關,電感量適當大一點,可以工作在CCM下,效率應該會更高一點,基本上220V時0.89應該不是太費勁。但是這個時候你的MOS耐壓就要注意了，要留足夠的余量，最好打8折，同時吸收再處理一下。這樣做你的MOS和變壓器應該溫度能解決，但是電容還是危險。祝你好運
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@dianhui
你這個變壓器設計的也是中規中矩的，反射電壓80V，0.45的占空比,對于OPEN的應該沒問題,但是這樣的適配器恐怕溫度夠戧,你的效率上不來.230V估計也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射電壓.看你的初級已經32Ts了,2620的BOBBIN估計0.5的線你連1匝也加不進去了,所以將次級去掉一圈,這個時候占空比會比較大,計算一下如果磁心沒有接近飽和磁通,那么初級也可適當減少1、2圈。這樣整流管就可以選小點的耐壓如80V的，看你的電壓范圍是到220V，那么60V的蕭特基都可以考慮使用，效率肯定會提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V時0.84,220V時0.87左右,你的好象是固定頻率硬開關,電感量適當大一點,可以工作在CCM下,效率應該會更高一點,基本上220V時0.89應該不是太費勁。但是這個時候你的MOS耐壓就要注意了，要留足夠的余量，最好打8折，同時吸收再處理一下。這樣做你的MOS和變壓器應該溫度能解決，但是電容還是危險。祝你好運
跟我的想法是一樣的。推薦這樣搞。但一定要選個靠譜的MOSFEET。
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@dianhui
你這個變壓器設計的也是中規中矩的，反射電壓80V，0.45的占空比,對于OPEN的應該沒問題,但是這樣的適配器恐怕溫度夠戧,你的效率上不來.230V估計也就0.86左右吧.只有提高匝比提高反射電壓.看你的初級已經32Ts了,2620的BOBBIN估計0.5的線你連1匝也加不進去了,所以將次級去掉一圈,這個時候占空比會比較大,計算一下如果磁心沒有接近飽和磁通,那么初級也可適當減少1、2圈。這樣整流管就可以選小點的耐壓如80V的，看你的電壓范圍是到220V，那么60V的蕭特基都可以考慮使用，效率肯定會提高，但前提是管子不要太垃圾,大概90V時0.84,220V時0.87左右,你的好象是固定頻率硬開關,電感量適當大一點,可以工作在CCM下,效率應該會更高一點,基本上220V時0.89應該不是太費勁。但是這個時候你的MOS耐壓就要注意了，要留足夠的余量，最好打8折，同時吸收再處理一下。這樣做你的MOS和變壓器應該溫度能解決，但是電容還是危險。祝你好運
大師如果占空比變大，反射電壓就高，肖特基如何能使用60V的管。也要用大于100V的管子吧
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@lijuan@
是的PQ2620，如今高壓效率88，低壓84，不帶線測。但殼內溫度96度，如果在35度環境老化，96+10=106.電解電容溫度過不了。如今想換成PQ2623的變壓器不知可行不，大師們指點指點
占空比、反射電壓都是根據你的MOS耐壓來決定的，所以你的MOS耐壓如果足夠，比如600V或650V，打8折，這個時候計算你的反射電壓，盡可能高一點，考慮SPIKE不要超過8折，當然可靠性要求不高時可打9折，同時注意占空比不要超過0.5(除非加補償)。這個時候匝比肯定會大,那么次級整流管電壓會變低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改為8,那么次級電壓為311/8=39,39+12=51V,用60V蕭特基打9折也有54V,所以沒問題,如果是
264Vac,那就要用80V的了.
提高反射電壓是為了減低初級電流,減少MOS的損耗,降低了次級電壓那么可以選擇更底耐壓整流管從而降低Vf,選擇相對好一點整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，沒必要選擇太好畢竟只有60W，因為到一定程度再大的電流規格對損耗的降低已沒有多大實際意義了，因為Rdson雖降了但是由于電容的增大，開關損耗也會大了，對于這種適配器產品來說更不要提什么COOL MOS這種餿主意了，除非你的老板太有錢了沒地花了；
對于變壓器2620只要磁芯溫度不要超過太高，常規的類PC40材料應該足夠了，如果成本沒有太大影響，也可以調整更換但要注意Ae不要變小了以防飽和。在變壓器不飽和的前提下增大一點感量。祝你成功。
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@dianhui
占空比、反射電壓都是根據你的MOS耐壓來決定的，所以你的MOS耐壓如果足夠，比如600V或650V，打8折，這個時候計算你的反射電壓，盡可能高一點，考慮SPIKE不要超過8折，當然可靠性要求不高時可打9折，同時注意占空比不要超過0.5(除非加補償)。這個時候匝比肯定會大,那么次級整流管電壓會變低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改為8,那么次級電壓為311/8=39,39+12=51V,用60V蕭特基打9折也有54V,所以沒問題,如果是264Vac,那就要用80V的了.提高反射電壓是為了減低初級電流,減少MOS的損耗,降低了次級電壓那么可以選擇更底耐壓整流管從而降低Vf,選擇相對好一點整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，沒必要選擇太好畢竟只有60W，因為到一定程度再大的電流規格對損耗的降低已沒有多大實際意義了，因為Rdson雖降了但是由于電容的增大，開關損耗也會大了，對于這種適配器產品來說更不要提什么COOLMOS這種餿主意了，除非你的老板太有錢了沒地花了；對于變壓器2620只要磁芯溫度不要超過太高，常規的類PC40材料應該足夠了，如果成本沒有太大影響，也可以調整更換但要注意Ae不要變小了以防飽和。在變壓器不飽和的前提下增大一點感量。祝你成功。
我客戶的12V5A
MOS管 12N65 普通MOS管
芯片用NE1105C 高壓啟動芯片
用PQ2620
肖特基是PFR30V60CT 一個
輸出線1.5M 18號 線端效率是87.3%只能過5級
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@dianhui
占空比、反射電壓都是根據你的MOS耐壓來決定的，所以你的MOS耐壓如果足夠，比如600V或650V，打8折，這個時候計算你的反射電壓，盡可能高一點，考慮SPIKE不要超過8折，當然可靠性要求不高時可打9折，同時注意占空比不要超過0.5(除非加補償)。這個時候匝比肯定會大,那么次級整流管電壓會變低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改為8,那么次級電壓為311/8=39,39+12=51V,用60V蕭特基打9折也有54V,所以沒問題,如果是264Vac,那就要用80V的了.提高反射電壓是為了減低初級電流,減少MOS的損耗,降低了次級電壓那么可以選擇更底耐壓整流管從而降低Vf,選擇相對好一點整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，沒必要選擇太好畢竟只有60W，因為到一定程度再大的電流規格對損耗的降低已沒有多大實際意義了，因為Rdson雖降了但是由于電容的增大，開關損耗也會大了，對于這種適配器產品來說更不要提什么COOLMOS這種餿主意了，除非你的老板太有錢了沒地花了；對于變壓器2620只要磁芯溫度不要超過太高，常規的類PC40材料應該足夠了，如果成本沒有太大影響，也可以調整更換但要注意Ae不要變小了以防飽和。在變壓器不飽和的前提下增大一點感量。祝你成功。
感謝大師的指點，如今變壓器，MOS溫度解決。就是大電解溫度過不了
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@dianhui
占空比、反射電壓都是根據你的MOS耐壓來決定的，所以你的MOS耐壓如果足夠，比如600V或650V，打8折，這個時候計算你的反射電壓，盡可能高一點，考慮SPIKE不要超過8折，當然可靠性要求不高時可打9折，同時注意占空比不要超過0.5(除非加補償)。這個時候匝比肯定會大,那么次級整流管電壓會變低的.如:220*1.414=311V,匝比由6.5改為8,那么次級電壓為311/8=39,39+12=51V,用60V蕭特基打9折也有54V,所以沒問題,如果是264Vac,那就要用80V的了.提高反射電壓是為了減低初級電流,減少MOS的損耗,降低了次級電壓那么可以選擇更底耐壓整流管從而降低Vf,選擇相對好一點整流管,比如ST的60V、80V等，至于MOS，沒必要選擇太好畢竟只有60W，因為到一定程度再大的電流規格對損耗的降低已沒有多大實際意義了，因為Rdson雖降了但是由于電容的增大，開關損耗也會大了，對于這種適配器產品來說更不要提什么COOLMOS這種餿主意了，除非你的老板太有錢了沒地花了；對于變壓器2620只要磁芯溫度不要超過太高，常規的類PC40材料應該足夠了，如果成本沒有太大影響，也可以調整更換但要注意Ae不要變小了以防飽和。在變壓器不飽和的前提下增大一點感量。祝你成功。
說的太對了。增大了占空比后MOS損耗能小，肖特基可以用更低耐壓的我，缺點就是輸出的峰值電流大了，輸出電容的紋波電流也大了，輸出電解自然就過熱了。簡單點的解決辦法那就是換ESR更小，耐紋波電流更大的電解了。
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