關于《如何恢復反激變壓器的漏泄能量》的討論 關于《如何恢復反激變壓器的漏泄能量》的討論 近日，在《EDN CHINA》2013.07 上讀到一篇文章《恢復反激變壓器的漏泄能量》，該文章的主旨是，采用類似正激變壓器能量恢復繞組的變壓器結構，該恢復繞組與初級繞組有緊密地磁耦合。將MOS的漏源電壓鉗位在2倍直流電源軌電壓，降低振鈴電壓。該文章在本網站也可瀏覽http://bbs.dianyuan.com/article/21865 ；http://bbs.dianyuan.com/article/21011 ；http://bbs.dianyuan.com/article/21007
我對該文章提到的方法進行了嘗試。電路如圖：芯片采用PI公司的DPA426R ,IN:DC20~28V;OUT:DC24V/0.8A,DC9V/0.2A。變壓器規格為EPC19,初級和恢復繞組11匝，反饋繞組6匝；24V輸出繞組10匝；初級電感量28.6uH。
結果：負載電流在0.6A時，串在恢復繞組上的二極管燒毀。當MOS有導通變為關斷時，電流不能突變，因此二極管上會流過較大的電流，因此，選擇二極管時其電流應與MOS的電流參數相對應。其次，在反激的時間里，存儲在磁芯的能量，將通過次級繞組、反饋繞組、恢復繞組釋放，由于恢復繞組與初級繞組緊耦合，分得的能量會相應大一些，那么，在其他條件相同的前提下，又恢復繞組的變壓器，實際輸出能力會下降。
因此，雖然能量恢復繞組可有效抑制MOS的漏源電壓和振鈴，但在初級大電流應用時，會在能量恢復二極管上帶來額外的損耗。也就是說，該電路適用于小功率場合，或則說適用于初級電流較小的場合。
