這種情況下電感量的差別主要是磁芯接合面的氣隙不同造成的，建議通過墊或磨氣隙調整電感量到設計范圍，用膠固定后再浸漆。

是的，可能你來的磁芯本來就不是統一的間隙~~
需要你自己來設計氣息的大小來設計不同的電感量

還有你的第二個問題是就是，空載的時候由于沒有負載的作用，變頻的作用

你的電源處于一個來回震蕩的狀態中，如果你的變壓器電路剛好設計在音頻的時候，就有聲音啦~~~

僅供參考，個人意見~~

謝謝兩位的回復，目前我想設計一個9V，1A的充電器，我嘗試通過公式計算及變壓器設計工具進行計算變壓器參數，可是兩者之間偏差很大，這個可能是什么問題導致的？而且我在電源網上下載了好幾個變壓器參數設計軟件，計算出來的結果都不同，我都不知道該使用哪組參數是對的了，請大家幫忙指點一二，謝謝先！

我設計變壓器的具體參數如下：

輸入90V-264V，輸出9V，1A，最大輸出設定為1.2A；采用4N60 MOSFET。

磁芯為PC40材質，EE19的立式骨架；

預設效率70%，最大占空比0.45，變壓器開關頻率50KHz以上；

計算出來的參數具體如下：

匝比N=8.25，初級峰值電流0.64A，初級均方根電流0.25A,初級電感1.5mH，初級匝數190，線徑0.282mm，次級匝數23，偏置10匝，線徑0.21mm。

但是我通過工具計算出來的參數具體如下：

	單端反激式開關電源變壓器設計
初級參數
輸入				計算結果
輸入電壓（V）	Vacmin	90.00		輸入電壓（V）	Vdcmin	91.08
	Vacmax	264.00			Vdcmax	369.60
電源功率（W）	Pout	10.80		反射電壓（V）	Vf	85.40
預設效率（%）	η	0.70		周期    μs	T	20.00
工作頻率（KHz）	f	50.00		最大導通時間(  μs)	t	9.68
MOS反峰電壓（V）	Vmosmax	600.00		最大占空比	Dmax	0.48
連續模式輸入            斷續模式輸入	0.50	0.50		輸入功率（W）	Pin	15.43
	1.00			初級電流	Ip	0.70
				最大電感量（mH）	Lp	2.52
磁芯預選：		EE19		初級次級匝數比	n	9.49
電感因數(nH/N2)	AL	1250.00		磁芯氣隙（cm）	lg	0.032521
磁芯截面（mm2）	Ae	23.00		初級匝數（Turn）	Np	174.21
磁感應強度（T）	Bw	0.220		初級線徑（mm）	Dp	0.50
次級參數：
輸出電壓（V）	Vout	9.00		次級匝數（Turn）	Ns	18.36
輸出電流（A）	Iout	1.00		次級線徑（mm）	Ds	0.59
輔助電壓（V）	Va	3.00		輔助匝數（Turn）	Na	6.12
輔助電流（A）	Ia	0.10		輔助線徑（mm）	Da	0.19
磁路長度（mm）	le	39.40		無氣隙匝數電感	L	37.93
磁芯磁壓降(安匝)	NI	4.05		磁芯相對導磁率	μ	1704.00
氣隙磁壓降		56.93		有氣隙相對導磁率	μe	113.11
峰值電流*初級匝數		121.96		電感中儲存的能量(mj)	0.5L*Ip^2	0.6171
總磁壓降		60.98		氣隙中儲存的能量(mj)	0.5B*Hg*Ae*lg 0.5B*氣隙磁壓降*Ae	0.1440
				磁芯中儲存的能量(mj)	0.5B*磁芯磁壓降*Ae	0.01024

我想了解為什么會出現這個問題，同時請高手，大師們，看看這個參數是不是有問題？

 

按照你說的方式進行了調整，可以調整到需要的電感值了，謝謝。

不過我還有一個下面的問題，目前繞制的變壓器一致性比較差，還沒有找到比較合適的值，可否請您幫忙看一下，大概什么樣的參數值比較合適我現在設計的參數要求？

后面通過工具計算出來參數還算比較合適，預設效率可以再提高點。

但是那個初級線圈的線徑是否合理啊，0.5是不是太粗了，直接用0.2線徑是否可行啊？

可以用雙股0.2的線試試。

我嘗試過繞制我自己計算的變壓器參數，實際上已經出現了匝數過多，繞制不下的問題了，若是采用0.2雙股并繞的方式，在EE19上基本上無法實現。同時，實驗驗證我自己計算的參數也不對，變壓器無法正常工作，會燒毀4N60.