如圖,用示波器看MOS管DS端波形,開機瞬間有時會有一個可觀尖刺(最大值約500V),隨后的平臺是芯片Vcc的充電時間(圖中持續時間大約930ms,如果關機后馬上開機這個持續時間會短些),然后是IC開始工作(最大值572V)。電路是單級PFC,整流后無鋁電解,但也不至于有尖刺吧?試過將整流橋后薄膜電容以外的電路都斷開了,輸入端EMC電感都短路了,但反復開機下探薄膜電容兩端,還是出現這個接近500V的電壓尖刺,可見不是整流后功率拓撲的問題。
請問這個電壓尖峰是如何引起的,如何減少這個尖峰的幅度?謝謝!