另一方面，隨著溫度的升高，RDS(on)增加的劣勢可以被感察覺到，由于載子移動性在25°C和125°C之間降低，這個重要的參數大概要翻番。再一方面，這同一個現象帶來了巨大的優勢：任何試圖像上述那樣發生作用的缺陷實際上都會從它分流—我們將看到的是“冷卻點”而不是對雙極器件的“熱點”特性！這種自冷卻機制的同等重要的結果是便于并聯MOSFET以提升某種器件的電流性能。