雙極型三極管受電流驅動，實際上，因為增益(集電極和基極電流之比)隨集電極電流(IC)的增加而大幅度降低，我們要驅動的電流越大，則我們需要提供給基極的電流也越大。一個結果使雙極型三極管開始消耗大量的控制功率，從而降低了整個電路的效率。

　　使事情更糟糕的是：這種缺點在工作溫度更高的情況下會加重。另外一個結果是需要能夠快速泵出和吸收電流的相當復雜的基極驅動電路。相比之下，(MOS)FET這種器件在柵極實際上消耗的電流為零；甚至在125°C的典型柵極電流都小于100nA。一旦寄生電容被充電，由驅動電路提供的泄漏電流就非常低。此外，用電壓驅動比用電流驅動的電路簡單，這正是(MOS)FET為什么對設計工程師如此有吸引力的另外一個原因。