大家好：
最近因為設備電池8.4V需要充電，但是市場上很少見這種充電的適配器，所以自己參考實際5V,2A的電源適配器電路圖，自己抄板做了一個9V,1A的電源，具體圖紙如下：
目前遇到的問題是：高壓快速開關NPN功率管選擇存在問題，我選擇了SBP13005A，實際焊接上測試會出現功率管燒毀的問題，實驗了2次，都會出現。更換為參考5V 2A電源適配器中的功率管，不存在任何問題，但是這個功率管沒有具體的型號信息，不知道具體是哪個型號，希望你能幫忙看看此問題的原因，并推薦好用的NPN功率管。
高壓快速開關NPN功率管選擇問題
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@songdalong
我準備用5N60先試試，今天嘗試。已經進行驗證了，使用4N60可行，不存在炸管問題了，不過出現了我自己繞制的變壓器不好用，使用自己的變壓器，大致匝數及感量與參考變壓器相同，但是實際上出現電壓會出現逐漸變低的問題，這是怎么回事呢？是否我繞制的變壓器參數設置不對
變壓器電壓逐漸降低的問題已經解決，是因為變壓器繞制材料的不同，導致原有的匝數存在差異，更改了反饋線圈的匝數之后，輸出正常了，但是一共繞制成功了2個變壓器，一個很好，暫時沒出現問題，另外一個出現了空載會有噪聲，掛上負載之后，短時間沒有噪聲，時間一長，仍會出現噪聲，原因未明確，請大師們幫忙看看，可能是哪個環節出現了問題？
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@君莫攀
哥們，你確認你原機的管子1腳與二腳三腳都可正向導通，反向截止的話，用c5207代替，如果不熱那就用它，應該很保險。另外對這個電路中的電容耦合驅動的方式感覺很新鮮，，電容放電時可以通過發射結，但電容充電回路在哪里啊？是利用發射結可以反向擊穿形成的回路嗎？感覺還是場管的幾率大一些，本人老菜鳥還請高手指教
謝謝大家的回復，我這現在走到變壓器設計這一塊了，目前不是很成功，有如下問題需要請教：
目前我想設計一個9V，1A的充電器，我嘗試通過公式計算及變壓器設計工具進行計算變壓器參數，可是兩者之間偏差很大，這個可能是什么問題導致的？而且我在電源網上下載了好幾個變壓器參數設計軟件，計算出來的結果都不同，我都不知道該使用哪組參數是對的了，請大家幫忙指點一二，謝謝先！
我設計變壓器的具體參數如下：
輸入90V-264V，輸出9V，1A，最大輸出設定為1.2A；采用4N60 MOSFET。
磁芯為PC40材質，EE19的立式骨架；
預設效率70%，最大占空比0.45，變壓器開關頻率50KHz以上；
計算出來的參數具體如下：
匝比N=8.25，初級峰值電流0.64A，初級均方根電流0.25A,初級電感1.5mH，初級匝數190，線徑0.282mm，次級匝數23，偏置10匝，線徑0.21mm。
但是我通過工具計算出來的參數具體如下：
| 單端反激式開關電源變壓器設計 | ||||||
| 初級參數 | ||||||
| 輸入 | 計算結果 | |||||
| 輸入電壓（V） | Vacmin | 90.00 | 輸入電壓（V） | Vdcmin | 91.08 | |
| Vacmax | 264.00 | Vdcmax | 369.60 | |||
| 電源功率（W） | Pout | 10.80 | 反射電壓（V） | Vf | 85.40 | |
| 預設效率（%） | η | 0.70 | 周期 μs | T | 20.00 | |
| 工作頻率（KHz） | f | 50.00 | 最大導通時間( μs) | t | 9.68 | |
| MOS反峰電壓（V） | Vmosmax | 600.00 | 最大占空比 | Dmax | 0.48 | |
| 連續模式輸入 斷續模式輸入 |
0.50 | 0.50 | 輸入功率（W） | Pin | 15.43 | |
| 1.00 | 初級電流 | Ip | 0.70 | |||
| 最大電感量（mH） | Lp | 2.52 | ||||
| 磁芯預選： | EE19 | 初級次級匝數比 | n | 9.49 | ||
| 電感因數(nH/N2) | AL | 1250.00 | 磁芯氣隙（cm） | lg | 0.032521 | |
| 磁芯截面（mm2） | Ae | 23.00 | 初級匝數（Turn） | Np | 174.21 | |
| 磁感應強度（T） | Bw | 0.220 | 初級線徑（mm） | Dp | 0.50 | |
| 次級參數： | ||||||
| 輸出電壓（V） | Vout | 9.00 | 次級匝數（Turn） | Ns | 18.36 | |
| 輸出電流（A） | Iout | 1.00 | 次級線徑（mm） | Ds | 0.59 | |
| 輔助電壓（V） | Va | 3.00 | 輔助匝數（Turn） | Na | 6.12 | |
| 輔助電流（A） | Ia | 0.10 | 輔助線徑（mm） | Da | 0.19 | |
| 磁路長度（mm） | le | 39.40 | 無氣隙匝數電感 | L | 37.93 | |
| 磁芯磁壓降(安匝) | NI | 4.05 | 磁芯相對導磁率 | μ | 1704.00 | |
| 氣隙磁壓降 | 56.93 | 有氣隙相對導磁率 | μe | 113.11 | ||
| 峰值電流*初級匝數 | 121.96 | 電感中儲存的能量(mj) | 0.5L*Ip^2 | 0.6171 | ||
| 總磁壓降 | 60.98 | 氣隙中儲存的能量(mj) | 0.5B*Hg*Ae*lg 0.5B*氣隙磁壓降*Ae |
0.1440 | ||
| 磁芯中儲存的能量(mj) | 0.5B*磁芯磁壓降*Ae | 0.01024 | ||||
我想了解為什么會出現這個問題，同時請高手，大師們，看看這個參數是不是有問題？正在糾結中，這個項目耽擱挺久的了，想盡快搞定。希望大家多多幫忙。
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@songdalong
謝謝大家的回復，我這現在走到變壓器設計這一塊了，目前不是很成功，有如下問題需要請教：目前我想設計一個9V，1A的充電器，我嘗試通過公式計算及變壓器設計工具進行計算變壓器參數，可是兩者之間偏差很大，這個可能是什么問題導致的？而且我在電源網上下載了好幾個變壓器參數設計軟件，計算出來的結果都不同，我都不知道該使用哪組參數是對的了，請大家幫忙指點一二，謝謝先！我設計變壓器的具體參數如下：輸入90V-264V，輸出9V，1A，最大輸出設定為1.2A；采用4N60MOSFET。磁芯為PC40材質，EE19的立式骨架；預設效率70%，最大占空比0.45，變壓器開關頻率50KHz以上；計算出來的參數具體如下：匝比N=8.25，初級峰值電流0.64A，初級均方根電流0.25A,初級電感1.5mH，初級匝數190，線徑0.282mm，次級匝數23，偏置10匝，線徑0.21mm。但是我通過工具計算出來的參數具體如下：單端反激式開關電源變壓器設計初級參數輸入 計算結果輸入電壓（V）Vacmin90.00 輸入電壓（V）Vdcmin91.08Vacmax264.00 Vdcmax369.60電源功率（W）Pout10.80 反射電壓（V）Vf85.40預設效率（%）η0.70 周期 μsT20.00工作頻率（KHz）f50.00 最大導通時間( μs)t9.68MOS反峰電壓（V）Vmosmax600.00 最大占空比Dmax0.48連續模式輸入 斷續模式輸入0.500.50 輸入功率（W）Pin15.431.00 初級電流Ip0.70 最大電感量（mH）Lp2.52磁芯預選： EE19 初級次級匝數比n9.49電感因數(nH/N2)AL1250.00 磁芯氣隙（cm）lg0.032521磁芯截面（mm2）Ae23.00 初級匝數（Turn）Np174.21磁感應強度（T）Bw0.220 初級線徑（mm）Dp0.50次級參數：輸出電壓（V）Vout9.00 次級匝數（Turn）Ns18.36輸出電流（A）Iout1.00 次級線徑（mm）Ds0.59輔助電壓（V）Va3.00 輔助匝數（Turn）Na6.12輔助電流（A）Ia0.10 輔助線徑（mm）Da0.19磁路長度（mm）le39.40 無氣隙匝數電感L37.93磁芯磁壓降(安匝)NI4.05 磁芯相對導磁率μ1704.00氣隙磁壓降 56.93 有氣隙相對導磁率μe113.11峰值電流*初級匝數 121.96 電感中儲存的能量(mj)0.5L*Ip^20.6171總磁壓降 60.98 氣隙中儲存的能量(mj)0.5B*Hg*Ae*lg0.5B*氣隙磁壓降*Ae0.1440 磁芯中儲存的能量(mj)0.5B*磁芯磁壓降*Ae0.01024我想了解為什么會出現這個問題，同時請高手，大師們，看看這個參數是不是有問題？正在糾結中，這個項目耽擱挺久的了，想盡快搞定。希望大家多多幫忙。
個人覺得你第一種算法是正確的，下面那個軟件上面初級線徑太大了。后面的肖特基用這個圈比可能要用80V的，60V 有點危險。
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