第五代半導體--CREE公司的SIC碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,不但擊穿電場強度高、熱穩定性好,還具有載流子飽和漂移速度高、熱導率高等特點,可以用來制造各種耐高溫的高頻大功率器件,用它作為材料做出來的肖特基二極管滿足以下一般的硅二極管所不能達到的特點:
一》耐壓高,最高可以做到1800V;
二》反向恢復時間為零,提高產品的效率,改善產品的EMC;
三》耐溫強,產品在300度以內工作性質不發生改變;
四》工作頻率可到200KHZ以上;
目前我們可以提供的產品有:CSD01060A,CSD02060A,CSD04060A,CSD06060A,CSD10060A,CSD20060A.等等600V耐壓的肖特基.產品特別適應用在電源的PFC部分.
聯系方式:13590330343
郵箱:kopi.wu@maxiworld-asia.com
第五代半導體--CREE公司的SIC碳化硅
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Rohm已經推出SiC產品，包括SBD，MOS和Module。
SBD的Vf值為1.35V，最大電流為40A，650V或1200V。
MOS管的最大電流為35A，1200V。
Module的參數為120A，1800V和180A,1200V。
http://www.rohm.com/web/global/groups/-/group/groupname/SiC%20Power%20Devices
我們是Rohm的一級代理，可共同探討學習及需要樣品等，聯系1693398980
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@加伊
Rohm已經推出SiC產品，包括SBD，MOS和Module。SBD的Vf值為1.35V，最大電流為40A，650V或1200V。MOS管的最大電流為35A，1200V。Module的參數為120A，1800V和180A,1200V。http://www.rohm.com/web/global/groups/-/group/groupname/SiC%20Power%20Devices我們是Rohm的一級代理，可共同探討學習及需要樣品等，聯系1693398980
我司專業SIC碳化硅MOS模塊（可以做成單管，加續流二極管，斬波...），IGBT模塊
QQ：597298353
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