球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) ,推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF,適用于36V至75V通用電信輸入及48V固定輸入系統(tǒng)等多種運(yùn)行環(huán)境的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器.新型DirectFET器件采用IR先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)及新一代HEXFET功率MOSFET硅,額定電流可達(dá)35A,其散熱表現(xiàn)更加卓越且效率更高,而占板面積則只相當(dāng)于扁平型SO-8封裝.

IR亞太區(qū)高級(jí)銷售總監(jiān)曾海邦表示:“IR DirectFET系列的最新器件通過(guò)持續(xù)改善影響功率MOSFET、RDS(on)、QG及QGD性能的關(guān)鍵參數(shù),將傳導(dǎo)、開(kāi)關(guān)及反向恢復(fù)損耗降至最低.這些改進(jìn)不僅可保證器件在較高電流電平下工作,同時(shí)也保持了單個(gè)MOSFET的小巧體積.由于電路版的面積減少了50%以上,因此現(xiàn)在一個(gè)DirectFET MOSFET可以替代兩個(gè)或三個(gè)SO-8封裝器件.”

該器件的典型10V RDS(on) 非常低,只有29mΩ.其低電感使器件更加適合大電流同步整流插座.而且,IRF6643TRPbF的QG低至39nC、QGD低至11nC,因此可作為隔離式或中間DC總線轉(zhuǎn)換器的原邊MOSFET.IRF6643TRPbF采用中級(jí)尺寸 (MZ) DirectFET封裝.有關(guān)新器件的詳細(xì)數(shù)據(jù),詳見(jiàn)以下網(wǎng)址http://www.irf.com/whats-new/nr061214.html.

產(chǎn)品基本規(guī)格如下:

器件編號(hào)
封裝
BVDSS(V)
10V下最大RDS(on) (mOhm)
10V下典型RDS(on) (mOhm) VGS (V)
25oC下的
ID (A)
典型QG (nC)
典型QGD
(nC)

IRF6643TRPbF
DirectFET中罐
150
34.5
29
20
35
39
11



IR的DirectFET MOSFET封裝具有以往標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì),并已獲得專利保護(hù).其金屬罐構(gòu)造可提供雙面冷卻功能,將用于驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微型處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力有效增加一倍.此外,DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS).有關(guān)DirectFET MOSFET封裝技術(shù)的詳情,可瀏覽directfet.irf.com及discovery.irf.com.