有快速關斷嗎?

實驗的時候直接關了電源,IGBT就掛了

IGBT有加快關斷沒?

沒有啊,快關斷的電路是怎樣的?我頭次用這個東東,請指教,謝謝

在柵極與源極加一個放電回路就可以了

謝謝,請您幫我看看這個圖,我加R4這個電阻可以嗎?阻值多少合適500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164106864.png');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

大家都在看吸收回路,其實我到覺得吸收只是一部分.
在關機是G的輸入存在,輸出沒有,產生了di/dt穿通.
在igbt的e上做點文章

看了你的圖,問題是沒有欠壓關閉功能,當電壓在關閉的時候,驅動電壓下跌,使MOS工作在放大狀態,電流過大又無限流而燒毀!

同意,最好是在IGBT的漏極D上加吸收回路.

謝謝大家,電路改成這樣可以嗎?

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164117190.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

IR2117有欠壓封鎖功能啊

笨笨,叫你在e上加點東西,怎么就聽不懂呢.現在在c上的吸收設計的是可以的

我感覺應該可以了,關機的時候,電機為感性元件,且電感量較大,在關機瞬間會在IGBT的DS兩端產生高電動勢,D極沒有吸收的話,就會損壞IGBT,樓主修改后的圖在電機兩端加了吸收,在D極又加了一個吸收,應該是沒有問題的了.
還請問linepro兄你說的e是指什么地方?

e上加什么呢?請指點一下,謝謝

實際上我燒管子的電路和現在的電路比,就是少了G極的電阻和一對穩壓管.但因為IR2117的HO輸出內部是個對管結構,我覺得這部分電路其實可以不加的.但為什么把管子搞掛了,我想不明白中,CE間的RCD緩沖保護電路是一直都存在的

當電源電壓低于2117的工作電壓了,那欠壓電路也不能正常工作了,試問難道電源電壓在1伏它還能工作?又沒限流措施.不信,你單獨給2117電壓,看MOS會不會燒.

你再看看你傳的圖,第一張是沒有的哦

謝謝,我想這個時候IR2117的確是不能工作了.

用1K較合適500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164430476.png');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

謝謝!!

同意.應該在D與S之間加一個Snubber電路,如:RC,RCD,RLD等.很有用.

做個記號

你需要EXB840 IGBT驅動原價在38元/我手上有十只低價出賣一只20元

看關機瞬間波形,可以判斷是電壓過沖還是欠壓關斷

我們專注于場效應管的研發、生產和銷售,引進國外先進的設計、制成及檢測設備,采用元胞結構的VDMOS技術,在全國率先推出自有品牌——SAMWIN系列場效應管產品.在產品品質方面達到FAIRCHILD、ST、PHILIPS等國際知名產品的質量標準,在場效應管技術參數方面,如內阻和關斷時間上甚至優于國外同類同質產品.我們采用國際一流的芯片生產線和封裝線,嚴格執行ISO9001:2000質量管理體系,在節省成本的同時,有效保證了產品質量的國際水準,并與全球OEM和ODM知名廠商建立了緊密的合作關系.

有的啊

我在用半橋驅動芯片驅動MOS管的時候也遇到了類似的問題，第一次上電正常，第二次上電后就發現驅動芯片燒了。

http://bbs.dianyuan.com/topic/1049377

應該是逆程電壓擊穿igbt