但是 我今天特別留意了一下各個MOS管的PDF資料,發現測試條件一樣的情況下td(on)均小于td(off),不正說明了MOS管截止比導通更難嗎?
暈,發表話題時,怎么不能打小于符號呢?

是這么回事,這是因為溝道的形成與截斷的速度不同.

也就是說,如果要讓 td(on)=td(off),那么就要加大驅動MOS管截止狀態的功率.當然td(on).td(off)越小越好.

不對不對.驅動MOS管的功率與這個Td(on)/Td(off)無關!驅動MOS管的功率只與控制極(柵極)的電容和控制極電壓有關.導通時間與截斷時間是材料參雜后的性質有關.

我的主要意思是   MOS管結電容是個固定值,驅動MOS管的功率越大,充放電速度越快.現在將驅動MOS截止的功率提高,也就是加快MOS管結電容放電的速度,即MOS管截止所須的時間比導通短,這樣與td(on)也許這樣做意義不大吧!