大家好,本公司代理美國軍工企業CREE的快恢復二極管,全球80%的LED晶元都是他提供的,不僅如此,他們還做SiC為材料的快恢復二極管,不僅響應速度快,而且由于SiC材料本身的特性決定了它的高導電率,低內阻,于高溫中無漂移,內阻呈負特性.應用于高于300W的大功率電路中PFC的二極管.其優點更加明顯:能夠降低系統電路負載的3~5%,降低電感感值,電容容值,減少EMI,減少PCB的尺寸!
如果有哪位工程師在設計通信電源,LCD-TV電源,AC-DC的大功率需要PFC時,而且遇到空間有要求時,請與我們聯系:周祥林 13817906430 kylinz@yelchn.com
應用于高于300W的大功率電路中PFC的CREE二極管
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謝謝大家的關注,本公司代理的CREE產品,是由政府出資的,開發的產品SiC材料提供給美國軍方,同時近幾年也買給Osram,英飛凌,ROHM等本導體廠家.可以用來生產LED,RF,LIGHTING, power Switching等,近幾年現在我們的一些產品也可以轉為民品在市場上銷售,并得到廣大知名電源的廠家的關注,本公司可以為廣大大功率電源廠家提供在300V下的20A和10A,在600V的1A,2A,4A,6A,10A和20A,在1200V下的5A,10A,20A 的肖特基二極管,在附件中有肖特基二極管的選擇相關資料供大家參考.
由于SiC的勢壘為3.3EV,Si的勢壘為1.1EV,這是SiC和Si本身特性的差異．這種特性導致他們的物理特性不一樣,如SiC的導電率是Si的3倍,致使能承受更大的電流,能帶隙是Si的3倍,致使能承受更高的溫度;10倍于Si的潰崩電壓,在相同的電壓時,有更低的內阻,更快的響應速度．1160660508.pdf 回復第10帖 編輯 好評 差評
colinzhou0504: 第11帖 [今天 22:36] 一
由于這些特點,加上肖特基本身的特性,是單極性的N極．故在高溫,高壓時都保持良好的電氣特性．致使它更適合在高壓高溫的條件下使用,如大功率的電路中PFC的電路中,有人認為SiC的價格高,實際上并不是這樣,首先,他可以用來代替大電流的快恢復二極管,如CSD010600的1A的SiC在200W中可以代替8A/600vSi-3產品.由于肖特基本身的特性,可以增加電路的頻率,減少開關損耗,由于高能帶隙,能降低系統的溫度,能夠減少磁環的磁通量,減少電容值,降低Mosfet的負載,減少電路的EMI,使電路更容易的通過EMI測試．減小PCB的面積．基于以上優點,現在已經為最大的電源廠家臺達,TYCO等單位使用,應用于200W以上的電路尤為明顯,降低了系統的溫度20~40度,功耗,成本．
如須更多的了解和服務,請與我聯系:周祥林 13817906430 colinzhou0504@126.com
同時我們還代理SUPERTEX/OSRAM/SSC的產品,涉及LED驅動,LED,IR,LASER,OLED的產品．
由于SiC的勢壘為3.3EV,Si的勢壘為1.1EV,這是SiC和Si本身特性的差異．這種特性導致他們的物理特性不一樣,如SiC的導電率是Si的3倍,致使能承受更大的電流,能帶隙是Si的3倍,致使能承受更高的溫度;10倍于Si的潰崩電壓,在相同的電壓時,有更低的內阻,更快的響應速度．1160660508.pdf 回復第10帖 編輯 好評 差評
colinzhou0504: 第11帖 [今天 22:36] 一
由于這些特點,加上肖特基本身的特性,是單極性的N極．故在高溫,高壓時都保持良好的電氣特性．致使它更適合在高壓高溫的條件下使用,如大功率的電路中PFC的電路中,有人認為SiC的價格高,實際上并不是這樣,首先,他可以用來代替大電流的快恢復二極管,如CSD010600的1A的SiC在200W中可以代替8A/600vSi-3產品.由于肖特基本身的特性,可以增加電路的頻率,減少開關損耗,由于高能帶隙,能降低系統的溫度,能夠減少磁環的磁通量,減少電容值,降低Mosfet的負載,減少電路的EMI,使電路更容易的通過EMI測試．減小PCB的面積．基于以上優點,現在已經為最大的電源廠家臺達,TYCO等單位使用,應用于200W以上的電路尤為明顯,降低了系統的溫度20~40度,功耗,成本．
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同時我們還代理SUPERTEX/OSRAM/SSC的產品,涉及LED驅動,LED,IR,LASER,OLED的產品．
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