寬電壓輸入電源:12V8A產品,帶CASE,拓樸為傳統反激式UC3843A+MOS:10N60.頻率實測為60K.占空比為0.35(AC120V滿載時,效率82.9%)
RCD參數分別為FR107,220K//103M/1KV,(示波器測試波形最好,峰值最小.)滿載燒機時,RCD的D溫度會慢慢上升,反饋繞組的D也同樣有此現象,要命的是VCC的峰值竟有110V,把限流電阻都燒的發黑了,最后把它燒斷,一旦這兩個零件溫度上升了,功耗就加大,直到產品失效.
現在已經折騰了很久了,一直沒有找到有效的方法降溫,(客戶不允許使用風冷).請各位過客賜招.謝謝了.
溫升沒轍了,請大家幫忙!
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@hjjk
謝謝你的回答,反饋饒組沒有接反.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/46/1160192125.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">11 0
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@hjjk
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你測試了你的反饋供電了嗎??它有多少V?你的場管驅動電壓有多少V?
是不是在驅動腳加了穩壓管?
是不是在驅動腳加了穩壓管?
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@gagabb
你說的VCC峰值是指此整流二極管兩端的峰值嗎?110V很正常啊.RCD的C也太大了,導致D一定很燙,FR107不能承受.R也太大了,給C的放電速度太慢.100W的反激式,漏感導致這部份的損耗不會少.VCC的限流電阻多大啊?(其實這個電阻應該不是起限流作用的)我想應該只能用幾歐姆吧,否則是會很燙啊.MOSFET的D,S極峰值電壓多高?100W的電源才用10N60,有點點小氣啊! ^-^
謝謝你的回復,RCD的參數配置是根據示波器所示結果,目前得出最好的結果來定的,VCC的限流電阻是10歐,110V的PP值是D兩端的,現在的問題是,這個D位置的熱量超過了RCD中D的熱量,
MOS兩端的電壓為220V左右(AC120V輸入時)
用10A的MOS管夠用,溫度在90幾度.
MOS兩端的電壓為220V左右(AC120V輸入時)
用10A的MOS管夠用,溫度在90幾度.
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