換大的

IRF640,200V,16A.還不夠大嗎?

你好,是否可以嘗試一下,我們的產品QSPEED,600V/5A/8A/15/30A,Q 我們產品反向電流和QRR做的比較小,如果是CCM模式,我們的產品可以降低MOS溫度,我們主打對手是SIC,而且MOS的溫度比SIC的還要低5度,價格是SIC的一半呀,如果有興趣可以試試,聯系方式:13798403964,徐生.

drive frequency is changed. Please evaluate the Gate pin drive frequency.

你好!
   我有韓國的MOS管WISDOM640,如果有需要與我聯系13590477875林生.MOS發熱一般是電流范圍太小了引起的,換一個大的就好啦!

是PCF的MOS嗎?
假如是的話可以用PHILIPS 19NS的PCF 二極管降低MOS的開關損耗,

你用的是多大供電電壓?mos開關是zvs么?還有,我覺得你可以估算一下你的電流和構道電阻的關系.

你好,是PFC的MOS嗎,如果是可以試試我們PFC二極管,我們產品主要特點是能夠提供功率和降低MOS的溫度,有興趣可以聯系,13798403964.

很多高電源的兄弟都會遇到這樣的問題,我來試者分析一下:
1.導通電流最好在規格要求之內.
2.驅動電流足夠大,也就是半導通時間足夠短,當然這以損害EMI為代價的.
3.開關頻率不可太高.
4.散熱條件足夠好.

MOS管上面一般都會墊一層導熱硅膠,那樣就能降20度左右!你試一試,我知道有一家有這種材料! 0755-81794130 13924669738 找覃先生就好!

拿出波形看看.

溫度幾度呀,

非常好!

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調整吸收會有一定的效果!

說清楚,是開關電源還是高壓條,他肯定問的是高壓條,如果是高壓條就去調你的火牛匝比,占空比,還有諧振

選擇輸入電容小點啊

驅動很重要,要求波形的上升沿和下降沿都要很徒.

inverter上的MOS管是一直不停在開啟關斷,電流變化大,當然要發熱

可以試下我司的MOS,,許生,,13549441858  www.fairtek.com.cn

更換電壓更高的MOSFET,如600V或800V的,另外用Rdson小的.

1高壓時,主要是導通關斷損耗 開關頻率,導通關斷時間等
2低壓時,主要是Ron電阻,mosfet是正溫度系數,溫度越高Ron越大,導致溫度進一步加大.
3熱阻,mosfet到散熱片,散熱片到地

散熱設計,導熱陶瓷,陶瓷精密加工,導熱絕緣材料QQ群:13708845
配合以下標準元器件封裝用的導熱陶瓷墜片尺寸:
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