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200W反激電源屢燒MOS,請教高手和前輩.

一個200W左右的3842反激電源,輸出60V3A,有風扇對流散熱,但滿載輸出都是不超過20分鐘就燒了MOS,參數如下:
變壓器是EC35,Np:Ns=68:40,Lp=560uH,MOS是10N60,RCD是:36K+103M+FR207,工作頻率120K.
燒機的時候測試各溫度是:
變壓器89度,MOS 95度,輸出二極管67度,就是RCD的FR207非常燙,PCB都焦了(還不是黃).
不知道MOS應該是二次尖峰擊穿還是高溫電流過大燒的,但不知道問題出在哪里?
還請各位能幫小弟我分析一下,謝謝了!
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2006-08-27 10:18
200W的反激有點難做.MOS上的尖峰測試過有沒有超標?FR207那么熱,是不是已經損壞了,RCD不起作用了,然后燒壞MOS.
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cnpower
LV.6
3
2006-08-27 10:18
工作時,你36K電阻上電壓多少?
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2006-08-27 14:30
@anson_wong
200W的反激有點難做.MOS上的尖峰測試過有沒有超標?FR207那么熱,是不是已經損壞了,RCD不起作用了,然后燒壞MOS.
測試過FR207的,還是好的,就是從PCB變焦的情況看好像電流很大,覺得消磁電流不正常.
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2006-08-27 14:32
@cnpower
工作時,你36K電阻上電壓多少?
好的,回頭我量一下再告訴你.
另外,你是否懷疑我的RCD參數有問題?增大R是否會好點兒?
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cnpower
LV.6
6
2006-08-27 14:34
@百無聊賴
好的,回頭我量一下再告訴你.另外,你是否懷疑我的RCD參數有問題?增大R是否會好點兒?
不是懷疑,RCD可以簡單判斷變壓器的工作狀態
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coming.lu
LV.6
7
2006-08-27 14:49
我之前做過個100W反激來玩,RCD那里都用了兩個33K并聯.
你的200W才用36K,太大了吧?
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2006-08-27 20:44
@coming.lu
我之前做過個100W反激來玩,RCD那里都用了兩個33K并聯.你的200W才用36K,太大了吧?
如此說來,改小R后,D的電流不是更大?難道我需要也并聯兩個FR207?

還有,今天下午我把變壓器的氣隙增大了,將感量減小到450uH左右了,在2.5A測試時對比溫度比之前在2.5A測試時要低一些了,難道是變壓器參數問題?

但之前的550uH時燒機時變壓器也不算燙啊,線包92度,磁芯87度,還有觀察電流沒有不穩的情況,不像是飽和了啊???
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2006-08-27 21:12
@百無聊賴
如此說來,改小R后,D的電流不是更大?難道我需要也并聯兩個FR207?還有,今天下午我把變壓器的氣隙增大了,將感量減小到450uH左右了,在2.5A測試時對比溫度比之前在2.5A測試時要低一些了,難道是變壓器參數問題?但之前的550uH時燒機時變壓器也不算燙啊,線包92度,磁芯87度,還有觀察電流沒有不穩的情況,不像是飽和了啊???
有2個可能:
1, mosfet 反壓太高. 尖峰產生雪崩能量太高.
2, 變壓器磁飽和, 先算一下Bmax看.
第2種可能性比較大.
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wxy2003
LV.4
10
2006-10-11 00:28
@deep_thought
有2個可能:1,mosfet反壓太高.尖峰產生雪崩能量太高.2,變壓器磁飽和,先算一下Bmax看.第2種可能性比較大.
有道理

最主要是要找到反壓太高和尖峰高的原因
你的結果有助于我的產品同樣類似問題的解決
不過稍有點不同,我的產品是如果風冷的話就可以長期工作
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copy
LV.2
11
2006-10-11 10:00
@wxy2003
有道理最主要是要找到反壓太高和尖峰高的原因你的結果有助于我的產品同樣類似問題的解決不過稍有點不同,我的產品是如果風冷的話就可以長期工作
可以試一下我們的SIC肖特基整流,它沒有反向恢復時間所以就沒有反向的一個電壓尖峰,同時幾乎沒有開關損耗.也降低了各個器件的溫度特別是MOS管的溫度,謝謝13590330343(吳)
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2006-10-11 10:44
估計是RCD參數設計不當,電阻太小了,應選大點的電阻,最好兩個電阻并聯;電容大了,應選小點的幾nF,再試試
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hy.power
LV.5
13
2006-10-11 19:27
從你的Lp=560uF來看,你這個電源可以斷定是工作在連續狀態的,這么大的功率,用10N60肯定是不行的.
給你點建議:
1:好好調一下T的匝比,降低二次反峰的高度,再調低Lp的值,使10N60的溫度盡量低.
2:在1的基礎上最好換用內阻低的MOS管.
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開拓者1
LV.8
14
2006-10-11 19:30
@hy.power
從你的Lp=560uF來看,你這個電源可以斷定是工作在連續狀態的,這么大的功率,用10N60肯定是不行的.給你點建議:1:好好調一下T的匝比,降低二次反峰的高度,再調低Lp的值,使10N60的溫度盡量低.2:在1的基礎上最好換用內阻低的MOS管.
根本原因就是反激不適合作大功率,反激做到100W以上時,問題就開始出來了,100W以下,問題就不多.
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