1 MOS的幾個基本參數，VDS（DS間的耐壓） VGH（MOS管開啟電壓）
2 作為電源的MOS，選型時候首先看VDS 與IDS，如果規格書給出的VDS 與IDS 有任何一項在你的使用方式以下，那就絕對不能用。
3 用你實際使用的平均電流與實際MOS管的RDSON，算出產熱，根據熱阻，判斷你需要的MOS管封裝，選型MOS。
切記，對于不同的VGH，MOS會產生不同的RDSON，個人認為，如果IC驅動MOS的能力不夠，更換大MOS與選擇OP來增大MOS的驅動能力，也許后者性價比更高，我一直有這個想法，但是從來沒有試過，哪位兄弟試試看，是否有改善。
4 MOS損壞的原因有大電壓擊穿，或者大電流產熱，在RDSON不變的情況下，I2R產生熱，此熱完全降落在MOS內，根據MOS管的熱阻，如果產生的熱過大，將使MOS管溫度過高，從而進入正反饋，溫度越高RDSON越大，導致最終燒壞。
5 在一些高壓MOS中，如PFC線路，常出現MOS燒毀，就是因為MOS的VGH沒有完全啟動，MOS在線性區，導致MOS有過大的RDS。
溫度測試是王道。適當降低額度也是王道。
