下面Ｒ２是　輸入電流　過流檢測電阻

103太大了。估計(jì)2200P足以。

個(gè)人覺得電容低端直接接地好，不然會(huì)干擾ISENSE。

這種吸收電路,用103太夸張了.

以生產(chǎn)了　２Ｋ多片，　現(xiàn)在Ｒ１用的是　３００歐，　老化不到３０秒，有一固白煙出來，用　３歐就不會(huì)，

用3歐姆的話,你mos不熱?

ＭＯＳＦＥＴ是兩個(gè)２６１１并在一起，溫度很高，有一個(gè)風(fēng)扇在吹

這個(gè)電容真不需要這么大,幾百PF就足夠了

用３Ｋ　肯定是馬上燒掉的，現(xiàn)在用３００歐，電阻兩端壓降有　１２Ｖ，　用３０歐，就只有１.４Ｖ，　用３歐，只有０.１Ｖ不到　

你有沒有看過MOS管上DS的波形？R1取不同的值，VDS的波形有什么不同？

 你的接法是不是有問題啊？個(gè)人感覺

同感...

樓主那樣接R1會(huì)一直有電流流過的

不明白樓主為何要這樣接

他的接法是沒什么問題,只不過取值有大大的問題.

這個(gè)接法，二極管像是多余的

二極管可以加強(qiáng)吸收尖峰的效果

你發(fā)一個(gè)完整的電路出來？

你的吸收電容太大了，電容吸收的能量在開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)通過MOS的導(dǎo)通電阻和R1串聯(lián)進(jìn)行釋放。R1取值大的話，R1上分得的電壓高，所占的損耗大。R1取值小的時(shí)候，MOS上所占的損耗大，只是你的MOS散熱好，不是很明顯而已。