提高電源效率及使用壽命,大幅度降低溫升,超結(jié)MOSFET新力量
隨著電源技術(shù)行業(yè)飛快成長,客戶對LED驅(qū)動電源品質(zhì)價(jià)格的要求也越來越高。 體積要求越來越小,一致性要求更好。因此平面的VD-MOSFET已經(jīng)有些力不從心的感覺,因?yàn)橥扑]工藝更高一層的超結(jié)MOSFET NCE5N60(RDS≤900mΩ)封裝(TO-251 TO-252 TO-220 TO-220F)和NCE8N60(RDS≤600mΩ)封裝(TO-251 TO-252 TO-220 TO-220F)NCE11N60(RDS≤380mΩ)NCE20N60(RDS≤180mΩ)。電壓有500V;600V;650V.內(nèi)阻降低70%,更低的導(dǎo)通內(nèi)阻,利于降低導(dǎo)通損耗;極低的柵極電荷,提供更快的開關(guān)速度;同規(guī)格下更小的封裝體系,是系統(tǒng)更輕便;更好的一致性,保證了系統(tǒng)的持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行;100%雪崩能力測試,確保產(chǎn)品質(zhì)量可靠.同等型號替代,可以省去散熱片!各位大俠工程可以所樣測試,體驗(yàn)效果。留個(gè)候選料也值得! QQ: 526735147
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