大家要文明交流

就是  不同意可以說嘛

有道理，我們做的大功率加熱設備都是工作在容性區

并聯諧振一般工作在容性負載

串連諧振一般是工作在感性負載

等待各位版主大人來講課！

學習下，

工作在容性區，簡單的講，等同于負載是一個電容，容性區越大，等同的負載電容也越大

半橋上臂對容性區的等同電容充電，下臂放電

一是會帶來無意義的消耗，劇烈發熱

二是，對電容充電放電瞬間，電流極大，有多大，能達到上KA的峰值電流，當然持續時間很短，一般幾十ns，想想你用的半橋模塊，能抗的住這么高的瞬時電流嗎

幾個脈沖就會炸掉

我來給你們終極釋疑:說的沒錯,串聯逆變器確實不適合工作在容性區,但是其危害遠遠小于并聯逆變器工作在感性區,區別就是串聯逆變器工作的容性區越大,其總的功率反而越小(偏離諧振點越遠),所以其只是承受了極短的電流沖擊,而功率器件是能夠承受短期功率沖擊的,且越容性區頻率越低,而如果偏離容性區不大,也不會損壞IGBT,最通俗的解釋就是這個等效電容小了,電源濾波電容途徑導通的IGBT向這個容性的逆變器充電電流變小了.自然這是建立在功率器件有富裕量的情況下.而如果并聯逆變器工作感性區,其是近似恒流源供電,換流過程中的尖峰電壓沖擊比瞬時電流沖擊危害大的多,當然這個感性區也要達到一個值,一點點沒問題,當換向引起的尖峰電壓達到IGBT正向耐壓峰值立馬就擊穿IGBT,(可控硅做逆變器不能工作在感性區,因為要靠反壓關斷),而且越往感性區,尖峰電壓越高,功率器件承受功率越大.無解.另:即便并聯電源工作在容性區,仍然不能偏離太遠,否則因為IGBT串聯的起反向阻斷快速恢復二極管承受過高換向反壓尖峰而擊穿.

    至于二樓冉智說的,輸出功率因素下降.這個只要偏離諧振點功率因數就下降并不是不能工作在容性區的理由,而產生震蕩,波形變差只是結果,原因就是恒壓源供電,瞬時對容性負載充放電產生瞬時電流過大造成的.至于可能反壓擊穿IGBT,也是連可能都不會的,因為串聯逆變器的功率器件不需要正反阻斷,所以IGBT本身是不承受反壓的(因為IGBT都有續流二極管),而由可控硅組成的串聯逆變器是非要工作在容性區.(需反壓關斷),并聯諧振需要正反阻斷.是通過串聯二極管,所以也是二極管承受反壓,在并聯逆變器IGBT也不會因為承受反壓擊穿,只會擊穿外部串聯二極管,

xiaoxia8630大師: 個人理解不一樣吧, 我一直拿尖峰電壓說成反壓   其它似乎也沒說錯，多謝指點

有道理，是個高手

工作頻率是諧振頻率的一半

絕對不是！

好像不是我弄混淆了而是你弄混淆了,所謂的反向電壓并非指電感因為電流躍變造成的感生電壓.而是專指半導體承受的反向電壓.請查閱相關書籍.或者直接百度.