Vi(V) | No Load空載 | Full Load 滿載/50R電阻 | ||||||
Pi(W) | Vo(V) | PF | THD(%) | Pi(W) | Io(A) | Vo(V) | efficiency(%) | |
90 | 0.1 | 62 | 0.98 | 9 | 52.30 | 0.97 | 47.90 | 88.84% |
100 | 0.98 | 8.5 | 63.6 | 1.08 | 53 | 90.00% | ||
120 | 0.99 | 9.6 | 68.4 | 1.12 | 55.2 | 90.39% | ||
140 | 0.99 | 11.5 | 68.3 | 1.12 | 55.1 | 90.35% | ||
220 | 0.98 | 15.3 | 68.5 | 1.12 | 55.1 | 90.09% | ||
240 | 0.97 | 19 | 68.5 | 1.12 | 55.1 | 90.09% | ||
264 | 0.95 | 20 | 68.5 | 1.12 | 55 | 89.93% |
SA7527 264V 炸機(jī)
全部回復(fù)(9)
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@rared
變壓器初級(jí)35圈,次級(jí)6圈,MOS管你選用15N60,反向壓降600V;輸出達(dá)50V;MOS管的反向壓降遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠,你可以嘗試用800V的MOS試下,如果沒(méi)炸,測(cè)試一下MOS的實(shí)際反向壓降有多少;最后再考慮改變壓器,或MOS;
5樓說(shuō)得對(duì),反射電壓都快300V了,在加上直流母線電壓370多V,早超過(guò)600V了,還有漏感尖峰以及snubber電路的電壓沒(méi)算,建議樓主降低匝比,從新計(jì)算變壓器,否則只能是用更改耐壓的MOSFET了
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