小弟最近在研究驅(qū)動電機(jī)的方法，下面是我的兩張圖，第一張是H橋的左橋臂，第二張是驅(qū)動芯片外圍電路。
在調(diào)試的過程中發(fā)現(xiàn)很容易燒驅(qū)動芯片，而MOS管完好無損。
在示波器上看MOS管的關(guān)斷時間為600ns，而我同學(xué)做的同樣的板子，同樣的MOS管，其關(guān)斷時間是1us。（他的板子不會燒驅(qū)動芯片）
我推測了下，可能的原因就是：
我的MOS管死區(qū)時間過短，S級的電荷釋放過快，本來應(yīng)該通過G級與S級之間的電阻來釋放電荷的，卻通過LO線上的肖特基二極管釋放了，從而燒毀驅(qū)動芯片
所以現(xiàn)在有兩個疑問：
1、G級與S級之間的電阻應(yīng)該怎樣選擇？我選的47K是不是過大了？（問了一個同樣做H橋的同學(xué)，他一般用的4.7K或者10K）
2、HO，LO輸出端接的肖特基二級管的作用是什么呀？
求大神不吝賜教！
我的MOS管關(guān)斷時間
我同學(xué)的MOS管關(guān)斷時間（MOS管型號一樣，上面的標(biāo)示符不一樣）
不知道您說的HI LI輸入波形的幅值符合要求是什么意思？
HI LI的輸入波形是由飛思卡爾單片機(jī)提供的一對互補(bǔ)PWM波，我檢測過HI LI端的波形，有一定的尖峰，正常的應(yīng)該是0~5V的PWM波，尖峰有1V左右。
不知道您說的驅(qū)動芯片工作在放大區(qū)時間過長是什么意思？驅(qū)動芯片還有放大區(qū)么？
U3的工作溫度是正常的，就是容易燒...
前段時間遇到其他問題了，然后又都解決了，現(xiàn)在又繞回來，還是這個問題，我是這樣一步步測試的：
先斷開連接驅(qū)動芯片和MOS管的HO,LO端電阻
1、焊驅(qū)動芯片，測試LO端波形，輸出PWM波，正常；測HO波形，為10V高電平，正常；測HS波形，為10V高電平，正常。
2、焊上LO端電阻，測LO端波形，輸出PWM波，正常；測HO端波形，輸出PWM波形，正常，測HS波形，為0V，正常。（因為焊上LO端的電阻后，下管MOS管導(dǎo)通，連接MR端的HS電壓被拉低）
3、焊上HO端電阻，測各端波形，這個時候就會燒驅(qū)動芯片了....
燒毀后，我斷開HO端電阻，檢測發(fā)現(xiàn)：LO輸出持續(xù)的10V高電平，而HO輸出仍是PWM波形，所以我斷定燒毀的是LO,而HO端正常。
MOS管沒有燒。
驅(qū)動波形幅度值是指波形的大小，當(dāng)接近小于場管的VGS電壓時會造成驅(qū)動不足， 工作在放大驅(qū)是指你的驅(qū)動波形的前沿以及后沿是否足夠陡，如果不是，也會造成MOS損耜增大。
您給出的檢測方法是從驅(qū)動芯片的輸入輸出口入手的吧？
驅(qū)動芯片是輸入是HI LI ：純正的波形是0~5V的方波信號，但由于后面MOS管的開、關(guān)引起的尖峰通過驅(qū)動芯片L5109串?dāng)_到前端單片機(jī)哪兒，使得單片機(jī)的電源端和地端有峰峰值為2V的尖峰，單片機(jī)的PWM輸出也有峰峰值2V的尖峰，繼而在L5109的輸出端HO,LO也有8伏左右的尖峰，但在MOS管的柵極沒有尖峰。
驅(qū)動芯片的輸出是HO LO:LO是0~12V的方波，有尖峰，HO是0~22V的方波，也有一定的尖峰，但在上下管的柵極沒有尖峰了。
我這幾天又做了測試，在只接了右橋臂的情況下，第一次上電，輸出輸出波形都很正常，電機(jī)端波形也正常（有波形圖），但是斷電后，隔了半個小時，第二次上電時，就發(fā)現(xiàn)下管非常燙，D級的焊錫都融掉了，并伴隨著“絲絲”的聲音，此時再測上下管柵極波形，就都不對了（有波形圖），測電源端電壓，只有5.8V（正常為鉛蓄電池電壓12V），此時單片機(jī)端只有2點幾V，輸出波形也不對，我分析驅(qū)動芯片燒毀后，上下管有直通的現(xiàn)象，相當(dāng)于電源端和地端有短路的時刻，所以電源電壓才不對，但是不知道是為什么第一次上電好好的，第二次上電就會出問題？中間沒動任何東西。
不知道您能不能幫我分析下啊。。。。
