2024年6月15日下午，國內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)——能華半導(dǎo)體，在東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)沁園路的凱悅酒店成功舉辦了一場盛大的技術(shù)研討會和客戶答謝宴。此次活動旨在分享最新的氮化鎵行業(yè)技術(shù)進展，探討行業(yè)趨勢，并加強與客戶的交流合作。

研討會匯集了來自全國各地的六百多位行業(yè)專家、學(xué)者、媒體及企業(yè)代表。現(xiàn)場座無虛席，氣氛熱烈，參會者們積極互動，討論氛圍非常活躍。

能華半導(dǎo)體董事長朱廷剛博士上臺致辭

演講者包括來自復(fù)旦大學(xué)、南京大學(xué)、東南大學(xué)、華南理工大學(xué)等國內(nèi)知名高校的教授們，他們帶來了關(guān)于氮化鎵領(lǐng)域的前沿研究成果和深刻見解。同時，能華半導(dǎo)體的高層領(lǐng)導(dǎo)和技術(shù)人員也在研討會上分享了氮化鎵相關(guān)技術(shù)的發(fā)展趨勢，以及公司在氮化鎵產(chǎn)品領(lǐng)域的最新進展和成果。

會議首先由董事長朱廷剛博士發(fā)表了致辭。這次會議邀請了復(fù)旦大學(xué)黃偉教授、南京大學(xué)陸海教授、東南大學(xué)李勝博士以及華南理工大學(xué)李宗濤教授等多位專家。同時，能華半導(dǎo)體的CTO李亦衡博士、外延副總夏遠洋博士、研發(fā)副總武樂可博士、應(yīng)用副總章濤，以及戰(zhàn)略合作伙伴陳揚博士也分享了各自領(lǐng)域的最新研究和應(yīng)用進展。

在本次研討會中，黃偉教授指出，GaN功率器件在高頻快充等應(yīng)用中表現(xiàn)出眾，未來在AI人工智能發(fā)展背景下，GaN技術(shù)將生機無限。陸海教授介紹了GaN功率器件在瞬態(tài)能量沖擊、浪涌電流應(yīng)力等工況下的可靠性表征平臺，并詳細講解了在航天抗輻照應(yīng)用中的測試成果。李勝博士則全面對比了級聯(lián)型GaN功率HEMT器件與硅基超結(jié)MOSFET器件的電學(xué)參數(shù)，闡述了GaN功率HEMT器件的電學(xué)特性優(yōu)勢及其設(shè)計優(yōu)化方向。李宗濤教授分享了電子散熱技術(shù)的最新進展，提出了異構(gòu)集成近結(jié)散熱的新設(shè)計思路。

此外，李亦衡博士介紹了能華半導(dǎo)體在D-mode和E-mode GaN器件方面的現(xiàn)狀和未來規(guī)劃，夏遠洋博士闡述了提升GaN材料耐壓水平和GaN材料的外延優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，武樂可博士詳細介紹了能華半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品的制造工藝、市場表現(xiàn)以及產(chǎn)品介紹。章濤副總分享了GaN功率器件在新能源電動汽車等多元化應(yīng)用中的巨大潛力和機遇，并提出應(yīng)對現(xiàn)有技術(shù)挑戰(zhàn)的策略。陳揚博士則詳細介紹了單級式諧振變換器的設(shè)計與應(yīng)用優(yōu)勢，展示了該技術(shù)在氮化鎵器件中的實際應(yīng)用案例。

此次研討會展示了氮化鎵技術(shù)的最新進展和應(yīng)用前景，促進了能華半導(dǎo)體與客戶及學(xué)術(shù)界的深入交流。與會者一致認為，此次會議為行業(yè)發(fā)展提供了重要的交流平臺，對推動氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用具有積極意義。能華半導(dǎo)體表示，未來將繼續(xù)推進更多高質(zhì)量的研討會和交流活動，進一步促進產(chǎn)學(xué)研的深度融合。

在技術(shù)研討會結(jié)束后，能華半導(dǎo)體還舉辦了一場盛大的客戶答謝宴。宴會在凱悅酒店的豪華宴會廳進行，賓客們用餐期間自由交流，增進感情。能華半導(dǎo)體的高層領(lǐng)導(dǎo)在各桌間穿梭，與參會者親切交談，感謝他們的支持并聆聽他們的反饋和建議。能華半導(dǎo)體表示，將繼續(xù)秉持開放合作的態(tài)度，與各界攜手共進，推動氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用，為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展貢獻力量。

關(guān)于能華半導(dǎo)體

能華半導(dǎo)體于2010年成立，是國內(nèi)領(lǐng)先的專注于第三代半導(dǎo)體GaN的高新技術(shù)企業(yè)，核心團隊匯聚了從外延到器件設(shè)計、制造工藝，封裝和測試到應(yīng)用模塊等各個環(huán)節(jié)的科技創(chuàng)新型資深專家，是全球為數(shù)不多同時掌握增強型GaN技術(shù)、耗盡型GaN技術(shù)以及耗盡型GaN直驅(qū)方案的半導(dǎo)體公司，自成立至今已獲得專利100多項。總部位于江蘇蘇州，在加州硅谷、深圳均設(shè)有研發(fā)基地和市場銷售中心。