和SiC一樣，GaN是一種在功率器件中存在巨大潛力的化合物半導體材料，它具有禁帶寬度更寬、電子飽和速度更快、擊穿場強更大等特點。相比于SiC在高耐壓和大工作電流方面具有的優勢，GaN HEMT更有望在100-600V中等耐壓范圍內，實現出色的高頻工作性能。目前在小型AC適配器（消費電子）應用廣泛，隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展，GaN的市場規模也在不斷擴大，開始逐漸拓展到工業和數據中心應用，如數據中心服務器電源、基站電源、車載OBC、48V DC-DC等領域。據Yole Group預測，從2022年到2028年，GaN功率器件市場將以49%的復合年增長率快速增長，市值將從2022年的1.849億美元增長至20.4億美元。

在氮化鎵應用整體向好的大前提下，羅姆發現，客戶在使用氮化鎵產品時最困惑的地方是氮化鎵的驅動電壓是5V，但是市場上所有產品都是6V，中間的余量只有1V。這樣就需要增加很多的電路設計（不僅升高了電路復雜度也推高了價格），也有可能導致出現雜波，這都會為產品的可靠性帶來挑戰。于是，羅姆瞄準市場上柵極-源極間額定電壓低，封裝處理比較難的痛點，積極開發GaN品牌——EcoGaN?系列產品。EcoGaN?是通過更大程度地發揮GaN的性能，助力應用產品進一步節能和小型化的羅姆的GaN器件，將有助于應用產品進一步降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。其中，150V GaN HEMT，40mΩ和8.5mΩ的產品，在一年前已經開始量產。650V的GaN HEMT，有70mΩ和150mΩ，在2023年4月份也開始量產。

在介紹羅姆150V GaN HEMT的特點時，羅姆半導體(北京)有限公司技術中心總經理水原德健表示，市場上的普通GaN HEMT產品的額定電壓都是6V，而羅姆是8V；普通GaN HEMT產品的電壓裕度是1V，而羅姆是3V。通過增加針對過沖電壓的電壓裕度，實現高速開關，可以更大程度地優化電源電路的效率。因為EcoGaN?系列產品不用外接電路，有很大的余量，無需設計濾波過濾電路，也不用擔心之后的可靠性問題。這款產品也是羅姆從客戶的角度出發開發的新產品。”

具體到各個系列產品的技術參數。羅姆的150V GaN HEMT的耐壓為150V，柵極-源極間額定電壓為8V，采用自有的專用模塑封裝，可靠性高，安裝性良好，散熱性能出色，寄生電感低，高速開關1MHz以上，常閉動作，反向恢復時間為0。而羅姆的650V GaN HEMT的耐壓達到650V，擁有業界超高水平的GaN器件性能指數，內置ESD保護元件，采用表面貼裝型封裝，高速開關，常閉動作，反向恢復時間為0。除了可靠性高，散熱性出色，該產品采用支持大電流且具有出色散熱性的通用型DFN封裝,使安裝工序的操作更容易。

此外，羅姆憑借自身優勢挑戰高頻率開關技術。羅姆既有功率半導體技術，又有模擬電源技術，其中代表性的就是超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control?”，它可以更大程度激發GaN器件性能。與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅動柵極用的驅動器結合使用。于是，羅姆推出集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅動器于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，以輕松發揮GaN器件性能，替換一次側電源現有的Si功率半導體電路。

650V EcoGaN?(GaN HEMT) Power Stage IC有3個特點：通過將650V EcoGaN?、專用柵極驅動器、新增功能和外圍元器件一體化封裝，用作Power Stage電路，可輕松安裝GaN器件；驅動電壓范圍達到2.5V-30V，啟動時間為Typ.15μs，傳輸延遲為Typ.11ns-15ns，可輕松替換現有功率半導體電路；開關速度快，相比于普通產品，損耗大幅降低，僅需1個外置器件，有助于應用產品的小型化。

在談及羅姆產品的量產情況時，水原德健表示，羅姆2022年開始量產150V產品， 2023年4月份量產650V產品。并且，羅姆融合LSI技術和Power技術進行研發， 于2023年7月份開始量產Power Stage IC。關于下一代Power Stage IC產品，羅姆計劃2024年量產搭載準諧振AC-DC電路、功率因數改善電路，以及搭載半橋電路等產品。

隨著GaN器件的性能的進一步提高和陣容擴充，羅姆將持續推進用于驅動GaN HEMT的、內置控制器的器件和模塊的開發，進一步加強電源解決方案。其中包括具有低導通電阻和高速開關性能的產品——150V耐壓產品（第二/三代），內置驅動器和控制器的GaN模塊，650V耐壓的新封裝（TOLL封裝）產品等。

羅姆的核心技術其一是功率電子技術。羅姆專注于發揮各種技術優勢的功率元器件以更高效地處理電力。通過SiC開拓半導體的新時代，推出創新型功率元器件，通過Si、GaN等滿足不同應用產品需求的材料和元器件結構，支持廣泛的應用。羅姆的核心技術其二是模擬技術。使智能設備運行、并實現節能和小型化的關鍵是模擬IC，羅姆不斷發展的創新功率電子技術使精密控制成為可能，提供與時俱進的出色解決方案。羅姆使用獨創的無磁性變壓器隔離技術，集成電源、溫度控制、保護電路等。憑借包括封裝在內的獨創設計，實現高抗噪音、高可靠性。目前羅姆面向牽引逆變器的隔離柵極驅動器，全球份額位居第一。

羅姆從成立之初就一直專注于電源領域的發展，目前的產品從功率元器件到IC和模塊，都可以提供合適的產品助力節能和小型化。功率器件包括SiC MOSFET和SiC SBD等SiC器件、IGBT、SJ-MOSFET、SBD、FRD等Si器件，從2022年開始量產的GaN HEMT，也是為了擴展電源領域產品組合的器件。今后，羅姆會憑借自己的核心技術不斷解決各種電源系統難題，持之以恒地為人們豐富多彩的生活和社會的發展與進步提供支持。