全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月29日～31日參加在上海新國際博覽中心舉辦的2023上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：W2館2D03）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現場舉辦的“第三代半導體論壇”以及“電力電子應用技術論壇”等同期論壇上發表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。

展位效果圖

羅姆擁有世界先進的碳化硅為核心的功率元器件技術，以及充分發揮其性能的控制IC和模塊技術，在提供電源解決方案的同時，為工業設備和汽車領域的節能化、小型化做出貢獻。在本次PCIM Asia展會上，針對日益增長的中國市場需求，羅姆將重點展示以下產品和解決方案：

碳化硅：憑借低開關損耗、低導通電阻特性，為節能做貢獻

與傳統的硅器件相比，碳化硅器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選元器件。羅姆在碳化硅功率元器件和模塊的開發領域處于先進地位，其先進的SiC MOSFET技術實現了業界領先的低導通電阻，充分地減少了開關損耗，并支持15V和18V的柵極-源極電壓，有助于在包括汽車逆變器和各種開關電源在內的各種應用中實現顯著的小型化和低功耗。在本次展會上，羅姆將帶來面向車載應用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列產品展示。

氮化鎵相關產品：助力應用產品進一步節能和小型化

GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。2022年，羅姆將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產；2023年3月，又確立了能夠更大程度地發揮出GaN性能的控制IC技術。近期，為助力各種電源系統的效率提升和小型化，推出了器件性能達到業界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。此外，還結合自身功率電子和模擬兩大核心技術優勢，又推出了EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，該產品集GaN HEMT和柵極驅動器于一體，使GaN器件輕輕松松即可實現安裝，助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積。在本次PCIM Asia展會上，羅姆將展示氮化鎵相關的一系列重點產品。

用于電動汽車以及工業設備領域的高性能解決方案：

內置絕緣元件的柵極驅動器“BM611x系列”，是3.75kV隔離、AEC-Q100認證的柵極驅動器，專為xEV牽引逆變器應用而設計。其中，“BM6112FV-C”專為高功率IGBT和SiC應用而設計，柵極驅動電流20A。此外，AC-DC轉換器IC產品系列（650V、800V、1700V）為各種外接交流電源產品提供更佳系統，準諧振操作可實現軟開關，并有助于保持較低的EMI。其中，“BM2SC12xFP2-LBZ”內置1700V SiC MOSFET，方便設計，有效降低輕負載時的電力消耗，具備各種保護功能。

一直以來，羅姆不僅在產品研發上投入力量，還積極與行業伙伴建立戰略關系，聯合推動技術創新，旨在解決社會面臨的問題。除了以上豐富的產品及解決方案展示以外，屆時還將展示眾多合作伙伴的應用案例，不容錯過！在現場更有來自羅姆的專業銷售和經驗豐富的技術人員助陣，互動交流。歡迎登陸羅姆官網，查看更多展會詳情： https://www.rohm.com.cn/pcim