
中國上海,2023年3月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝,可用于工業設備開關電源,涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
TPH9R00CQ5具有行業領先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源導通電阻,與東芝現有產品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時,與東芝現有產品“TPH9R00CQH4[4]”相比,反向恢復電荷減少約74%,反向恢復[5]時間縮短約44%,上述指標是體現同步整流應用性能的兩大關鍵反向恢復指標。新產品面向同步整流應用[6],降低了開關電源的功率損耗,有助于提高系統效率。此外,與TPH9R00CQH相比,新產品減少了開關過程中產生的尖峰電壓,有助于降低電源的EMI。
該產品采用業界廣泛認可的表面貼裝型SOP Advance(N)封裝。
此外,東芝還提供支持開關電源電路設計的相關工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外,現在還提供能夠準確地再現電路瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。
東芝利用該產品還開發出了“用于通信設備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設計。即日起可訪問東芝官網獲取上述參考設計。除此以外,新產品還可用于已發布的“1kW全橋DC-DC轉換器”參考設計。
東芝將繼續擴大自身的功率MOSFET產品線,以降低功率損耗、提高電源效率,并助力改善設備效率。
應用
- 工業設備電源,如用于數據中心和通信基站的電源
- 開關電源(高效率DC-DC轉換器等)
特性
- 業界領先的[2]低導通電阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)
- 業界領先的[2]低反向恢復電荷:Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
- 業界領先的[2]快速反向恢復時間:trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
- 高額定結溫:Tch(最大值)=175℃
主要規格
(除非另有說明,Ta=25℃)
參考設計:“用于通信設備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉換器”
參考設計:“采用MOSFET的3相多電平逆變器”
注:
[1] 截至2023年3月的數據。
[2] 截至2023年3月,與其他150V產品的對比。東芝調查。
[3] 采用當前一代U-MOSVIII-H工藝的150V產品。
[4] 產品采用與TPH9R00CQ5相同的生產工藝,并具有相同的電壓和導通電阻。
[5] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。
[6] 如果新產品用于不執行反向恢復操作的電路,則功耗相當于TPH9R00CQH的水平。
如需了解有關新產品的更多信息,請訪問以下網址:
TPH9R00CQ5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TPH9R00CQ5.html
如需了解新產品的更多相關內容,請訪問以下網址:
U-MOS X-H系列150V MOSFET是高效率開關電源的理想選擇
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/articles/u-mos-x-h-series-150v-mosfet-ideal-for-efficient-switching-power-supplies.html
通過搭載了150V MOSFET的多電平逆變器來提高效率
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/articles/efficiency-improvement-by-multi-level-inverter-with-150v-mosfet.html
如需了解東芝MOSFET產品的更多信息,請訪問以下網址:
MOSFETs
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
如需了解有關新產品在線分銷商網站的供貨情況,請訪問以下網址:
TPH9R00CQ5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH9R00CQ5.html
*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
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