丹佛 —— 2022年7月19日，日前在國(guó)際微波研討會(huì)上，村田旗下專注于半導(dǎo)體集成技術(shù)的pSemi® Corporation宣布兩款新型毫米波集成電路（IC）已進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，這兩款I(lǐng)C適用于5G基站、5G客戶端設(shè)備以及點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電通信應(yīng)用中的有源天線系統(tǒng)。除了8通道波束形成前端和雙通道上下變頻轉(zhuǎn)換器IC套片之外，pSemi還提供完整的工具和專業(yè)技術(shù)支持包，有助于簡(jiǎn)化毫米波設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)。新款RF SOI IC套片是我們毫米波產(chǎn)品組合中的最新成員，這組業(yè)界最小尺寸的IC套片能夠提供n257、n258以及n260頻段的完整IF（中頻）至RF（射頻）解決方案。

新款毫米波IC套片適用于5G基站、5G客戶端設(shè)備，

以及點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電通信應(yīng)用中的有源天線系統(tǒng)。

5G毫米波波束形成器和上下變頻轉(zhuǎn)換器IC套片

pSemi銷售和營(yíng)銷副總裁Vikas Choudhary表示：“隨著n257頻段在全球成為5G主流頻段，pSemi非常樂(lè)于推出一系列毫米波產(chǎn)品和設(shè)計(jì)工具來(lái)支撐市場(chǎng)對(duì)這一頻段不斷增長(zhǎng)的需求。pSemi在高頻半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造方面歷史悠久，在毫米波解決方案領(lǐng)域擁有深厚的專業(yè)知識(shí)，且設(shè)施齊備，能夠打造性能和質(zhì)量方面均值得客戶和合作伙伴信賴的毫米波解決方案。”

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波束形成器和上下變頻轉(zhuǎn)換器IC的功能及優(yōu)勢(shì)

PE188200波束形成器IC（n257頻段）和PE128300上下轉(zhuǎn)換器IC（n257、n258頻段）擁有一系列功能及優(yōu)勢(shì)，可為5G FR2系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供極大的便利，其功能及優(yōu)勢(shì)包括：

最小的每通道設(shè)計(jì)尺寸——單片集成式RF SOI IC具有業(yè)界最小的尺寸，無(wú)需額外布線即可輕松用于構(gòu)建大型陣列。

完整的IF至RF設(shè)計(jì)覆蓋范圍——上下變頻轉(zhuǎn)換器可以與多達(dá)四個(gè)pSemi波束形成器配對(duì)，以支持大規(guī)模MIMO、混合波束形成和其他有源天線配置。

此外，PE188200 8通道波束形成器IC能夠提供：

靈活的天線設(shè)計(jì)——8通道波束形成器IC支持4個(gè)雙極化或8個(gè)單極性天線單元，以及擴(kuò)展配置，以實(shí)現(xiàn)最佳陣列增益、等效全向輻射功率（EIRP）和天線方向性。

波束形成精確度——所需EVM下的線性POUT具有低RMS相位和幅度誤差，可提高陣列增益和天線方向性，確保波束形成精確度。

PE128300雙通道上下變頻轉(zhuǎn)換器IC能夠提供：

高度集成的解決方案——業(yè)界首款雙通道上下變頻轉(zhuǎn)換器擁有最精致小巧的尺寸，能夠節(jié)省昂貴的空間。

低功耗——業(yè)界一流的上下變頻轉(zhuǎn)換器IC低功耗性能，支持更高效的系統(tǒng)散熱管理。

最大限度降低系統(tǒng)性能損害——最佳I/Q平衡和最小本振泄漏有助于提高EVM性能。

完整的毫米波控制軟件

除了樣品和評(píng)估套件（EVK）之外，pSemi還提供包含軟件工具和技術(shù)專業(yè)知識(shí)在內(nèi)的完整支持包，幫助客戶快速熟練應(yīng)用我們的波束形成器IC、上下變頻轉(zhuǎn)換器IC或兩者的陣列組合。

圖形用戶界面（GUI）——軟件GUI能夠確保寄存器編程的正確操作，以達(dá)成高效的代碼實(shí)現(xiàn)。

API集成——我們的GUI和API集成，能夠幫助您跨通道優(yōu)化性能。通過(guò)在客戶特定代碼中嵌入pSemi軟件，有助于加快軟件開(kāi)發(fā)和演示。

全面的用戶手冊(cè)——每款產(chǎn)品均提供全面的用戶手冊(cè)，其中包含寄存器編程要求和操作細(xì)節(jié)。

pSemi技術(shù)和質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)

從樣機(jī)到批量出貨，pSemi提供的毫米波支持包中融合了公司在過(guò)去30多年積累的高頻半導(dǎo)體專業(yè)知識(shí)，具有能夠提供高性能、高集成和高可靠性支持的優(yōu)勢(shì)。

RF SOI創(chuàng)新——基于30多年的射頻集成電路（RFIC）設(shè)計(jì)創(chuàng)新，以及在經(jīng)驗(yàn)豐富的技術(shù)專家的支持下，能夠在業(yè)界最小的外形尺寸中實(shí)現(xiàn)最高水平的集成。

專利和知識(shí)產(chǎn)權(quán)——作為RF SOI技術(shù)發(fā)明者，擁有1000多項(xiàng)專利，堅(jiān)持致力于推動(dòng)高頻半導(dǎo)體器件性能的發(fā)展。

質(zhì)量和可制造性——由深受業(yè)界信賴的供應(yīng)商村田公司提供支持，村田在滿足最高可靠性和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的大批量制造方面擁有成熟的經(jīng)驗(yàn)。

更多信息

這些分立的RFIC作為村田天線集成模塊的一部分，于2022年6月21日至6月23日在pSemi IMS #7078號(hào)展位上進(jìn)行展示。

欲了解有關(guān)波束形成器和上下變頻轉(zhuǎn)換器RFIC的更多信息，請(qǐng)聯(lián)系pSemi團(tuán)隊(duì)。