近些年，硅基半導(dǎo)體已經(jīng)越來越接近材料的物理極限，我們雖不敢斷言未來硅基半導(dǎo)體難再突破，但是從學(xué)術(shù)端和企業(yè)研發(fā)釋放的信號來看，硅基半導(dǎo)體的潛力確實(shí)有限了，未來突破的方向?qū)⒂l(fā)收窄。

基于這樣的大背景，并且隨著工業(yè)、汽車等市場需求的增加，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料的重要性與優(yōu)越性逐漸凸顯出來。以汽車領(lǐng)域?yàn)槔捎赟iC器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率和頻率，同時(shí)器件體積大幅度下降，SiC器件對于IGBT取代的呼聲越來越高。

在中國領(lǐng)先的電力電子、智能運(yùn)動、可再生能源及能源管理展覽會暨研討會——上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia）上，PI高級應(yīng)用工程師王皓與大家分享了題為《全碳化硅模塊應(yīng)用的驅(qū)動方案》的技術(shù)報(bào)告。

【圖為王皓在PCIM Asia國際研討會上發(fā)言】