2017年6月27日，德國慕尼黑訊—英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出全新封裝技術TRENCHSTOP? Advanced Isolation。TRENCHSTOP? Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT，確保一流的散熱性能并簡化制造流程。兩個版本均經過性能優化，可取代全塑封封裝(FullPAK)及標準和高性能絕緣箔。該新封裝適用于諸多應用，如空調功率因數校正(PFC)、不間斷電源(UPS)和變頻器等。

常見的絕緣選擇， 像FullPAK或采用絕緣材料的標準TO封裝，其價格昂貴，較難加工。此外，它們不足以滿足最新推出的大功率密度IGBT的散熱需求。TRENCHSTOP? Advanced Isolation具有與標準TO-247封裝同樣的尺寸，但100%絕緣。不過，無需使用絕緣箔或導熱硅脂。得益于從IGBT晶圓到散熱器有效可靠的散熱路徑，該全新封裝具備更大功率密度。它提高了可靠性，并降低了系統和制造成本。

由于不再需要使用絕緣材料和導熱硅脂，設計人員可以將裝配時間縮短達35%。與此同時，其通過消除錯位箔片提高了可靠性。該全新封裝的熱阻(Rth)比TO-247 FullPak低50%，比采用絕緣箔的標準TO-247低35%。這些改進都轉變成性能提升，相比采用FullPak封裝，工作溫度降低10° C。相比采用絕緣箔的標準TO-247，使用TRENCHSTOP? Advanced Isolation封裝可將系統效率提高0.2個百分點。

另外，該封裝具有僅38 pF的低耦合電容，這意味著抗電磁干擾(EMI)性能更佳，并有可能使用較小的濾波器。改進散熱特性還有助于提高可靠性，其原因在于IGBT可在較低溫度下工作，這可減輕對元器件的壓力。工作溫度降低還可減小散熱器件的尺寸，這有助于節省系統成本。另外，由于散熱要求有所降低，設計人員也可以選擇更高的設計裕度，實現更高功率密度。