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借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業元件占位面積

2016-10-13 13:31 來源:德州儀器 編輯:Brett Barr1

近日在中國深圳,我遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過,并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23,漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上,您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過,于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面積僅為1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (參見圖1),是專為諸如信息娛樂系統等空間受限的應用情況設計的。

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圖1:CSD18541F5l平面網格數組封裝

相比您的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝(參見圖2),新型MOSFET的尺寸約有其六分之一。這意味著,新型MOSFET不僅RDS(ON)導通電阻更小,其封裝尺寸也比傳統MOSFET小75%。

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圖2:傳統SOT-23封裝,旁邊是CSD18541F5LGA封裝

與這位工程師做了一些快速計算,我們的結論是如果每個電路板用10個元件,他就能節省大約55mm2占位面積——大多數的工程師通常事后才會想到這節省的是不小的空間。那么焊盤間距情況如何呢?幸運的是,這個微型LGA封裝在設計中同樣考慮了工業客戶的需求,他們一致認為0.5mm是兩個焊盤之間的首選最小間距。

如今,我在工業市場遇見的每個人,無論是從事生產電源、電池保護裝置還是電動工具的,幾乎都對更小尺寸或更高性能(或兼具兩個特點)的負載開關頗有興趣。

因此,如果您的工業設計需要使用不少SOT-23或更大的負載開關,請考慮選擇TI新型的CSD18541F5 MOSFET。相信我,您的PCB占位面積會也會對您感激不盡。

其他信息

·  獲取有關CSD18541F5 60-V N通道功率 MOSFET的詳細信息。

·  下載設計綜述,了解有關LGA封裝的詳細信息。

訪問FemtoFET 登錄頁面,查詢有關MOSFET系列的詳細信息。

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