全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET? 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現業界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“憑借在基準MOSFET技術方面的豐富經驗和不斷努力，IR推出了結合我們最新一代芯片與PQFN封裝技術的MOSFET系列，實現了業界領先的RDS(on) ，繼續開創卓越性能的先河。此外，在未來幾個月，我們將按照產品路線圖推出寬泛組合的PQFN基準MOSFET產品，以滿足客戶的需求。”

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專為DC開關應用設計的，例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機驅動應用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on)，最高只有1.15m?，且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4m?，Qg 達到了 50nC。

如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不僅能夠實現卓越的熱性能，還可以根據給定的功率損耗要求，比現有解決方案使用更少的元件，節省電路板空間及成本。

所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W)，并達到一級濕敏 (MSL1) 工業合格水平，也不含鉛、溴化物和鹵素，且符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

IRFH6200TRPbF產品規格

器件編號 封裝 電壓 最大Vgs Rdson max @ Vgs=4.5 Rdson max @ Vgs=2.5 Id @ Tc=25

IRFH6200TRPbF PQFN 5x6mm 20 V ±12V 1.2 m? 1.4 m? 100 A

IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF產品規格

器件編號 封裝 電壓 Rdson max @ Vgs=10 Rdson max @ Vgs=4.5 Qg typ @ Vgs=4.5 Id @ Tc=25

IRFH5250TRPbF PQFN 5x6mm 25 V 1.15 m? 1.7 m? 52 nC 100 A

IRFH5300TRPbF PQFN 5x6mm 30 V 1.4 m? 2.1 m? 50 nC 100 A

IRFH5301TRPbF PQFN 5x6mm 30 V 1.85 m? 2.9 m? 37 nC 100 A

IRFH5302TRPbF PQFN 5x6mm 30 V 2.1 m? 3.5 m? 29 nC 100 A

有關產品現正接受批量訂單。這些新器件的數據表和應用說明已刊登于IR的網站www.irf.com。

IR簡介

國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ，是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。

IR成立于1947年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR全球網站：www.irf.com，中國網站：www.irf.com.cn。