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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯電池的電池保護電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱的小罐式DirectFET封裝內提供兩個采用共漏極配置的20V N通道MOSFET。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IR擁有適合電池管理的廣泛的MOSFET產品系列，提供行業標準封裝以及適合精密設計的小罐式雙DirectFET封裝。新器件具有低導通電阻，可替代采用較大封裝的MOSFET，從而節省電路板空間及系統成本。”
所有新產品均不含鉛、溴和鹵，符合第一級濕度敏感度標準 (MSL1) 及電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
規格
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